对于介质损耗的一些基本概念.docxVIP

. 关于介质损耗的一些基本概念 （泛华电子） 1、介质损耗 什么是介质损耗： 绝缘材料在电场作用下， 由于介质电导和介质极化的滞后效应， 在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。 2、介质损耗角δ 在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角 ( 功率因数角Φ ) 的余角 ( δ ) 。 简称介损角。 3、介质损耗正切值 tg δ 又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义 如下 : 如果取得试品的电流相量 和电压相量 ，则可以得到如下相量图： 总电流可以分解为电容电流 Ic 和电阻电流 IR 合成，因此： 这正是损失角δ =(90 ° - Φ ) 的正切值。 因此现在的数字化仪器从本质上讲， 是通过测量δ或者Φ 得到介损因数。 测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、 十分有效的方法。 绝缘能力的下降 直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。 . . 测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数 cosΦ 功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率 S 中有功功率 P 所占 的比重。功率因数的定义如下 : 有的介损测试仪习惯显示功率因数 (PF:cos Φ ) ，而不是介质损耗因数 (DF:tg δ ) 。一 般 cos Φ tg δ，在损耗很小时这两个数值非常接近。 5、高压电容电桥 高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、 试品通道输入试品电流。 通过比对电 流相位差测量 tg δ，通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准 电容器、升压 PT 和调压器。接线也十分烦琐。 国内常见高压电容电桥有： 型 号 生产厂家 性 能 西林电桥，手动调节，介损相对误差 0.5%，试验室使用。 其改 2801 Haefely 进型为 2809A。 电流比较仪电桥，手动调节，介损相对误差 0.5%± 0.00005 ， QS30 上海沪光厂 试验室使用。 西林电桥， 手动调节， 介损相对误差 10%± 0.003 ，现场测量用。 QS1 上海电表厂 支持正反接线，移相或到相抗干扰。 自动调节，红外线遥控，介损相对误差 0.2%± 0.00005 ，现场 AI-6000 分 泛华电子 或试验室用。支持正反接线，移相或倒相抗干扰。配合变频电 体型 源可变频抗干扰。 6、高压介质损耗测量仪 简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量 进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。 AI-6000 利用变频抗干扰原理， 采用傅立叶变化数字波形分析技术， 对标准电流和试品 电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。 . . 国内常见高压介质损耗测量仪有： 型 号 生产厂家 性 能 高压输出 12kV/200mA, 介损误差 1％± 0.0001( 抗干扰方式、指标不 2816 Haefely C / L / R 测量，总重量 104kg 。 祥，估计是移相 ),正反接线方式， 高压输出 10kV/300mA, 介损误差 1％± 0.0004( 变频抗干扰， 20 倍） , M4000 DOBLE 正反接线方式， C / L / R 测量，笔记本＋ WINDOWS ， 45～ 70Hz ， 重量 66kg 。 10kV/200mA ，介损误差 1％± 0.0004 ，变频法 45～ 65Hz，抗干扰 2： AI-6000 1，正、反（含高、低压侧屏蔽）接线方式， CVT 自激法， C/L/R 泛华电子 测量，模拟西林电桥和电流比较仪电桥，试验室介损精度达到精密 电桥标准， 29kg 。 7、外施 使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验， 对介损仪的示值按一定的比例关系进行计 算得到测量结果的方法。 8、内施 使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。 9、正接线 用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。 10、反接线 用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试 验电压。 11、常用介损仪的分类 现常用介损仪有西林型和 M型两种， QS1和 AI-6000 为西林型。 12、常用抗干扰方法 在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种： 倒相法、 移相法和变频法。 AI-6000 采用变 频法抗干扰，同时支持倒相法测量。 13、准确度的表示方法 tg δ：±（ 1%D+0.0004） . . Cx ： ±（ 1%C+1p