变频器常见的十大故障现象和故障分析.pptx

变 频 器 讲 义 第一章：变频调速基础知识 1） 关 于 调 速 n=60f/p(1-s) p---变极调速 特点：有级调速，系统简单，最多 4 段速 s---调压调速、转子串电阻调速 特点：无级调速，调速范围窄 电机最大出力能力下降，效率低，系统简单，性能较差。 f---变频调速 特点：真正无级调速，调速范围宽，电机最大出力 能力不变，效率高,系统复杂，性能好，可以和直流调速系统相媲 美。 变频技术 交流变频是强弱电混合综合性技术，既要处理大电能的转换 （整流、逆变），又要处理信息的收集、变换和传输，因此它的技 术分成功率转换和弱电控制两大部分。前者要解决与高压大电流变 流技术有关的问题和新型电力电子器件的应用技术问题，后者要解 决基于现代控制理论的控制策略和智能控制策略的硬、软件开发问 题，目前广泛应用的是全数字控制技术。 变频器的控制对象：三相交流异步电机和三相交流同步电机，标准 适配电机极数是 2/4 极。 变频调速的发展历程 P7 大功率半导体技术： 70 年代：可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整 流器的简称，也称晶闸管。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种;类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被 广泛用于可控整流、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的 电能转换的场合。 单向可控硅用于直流电路，也是可控整流电子元 件（相当于可控制输出的二极管）；双向可控硅可用于交、直流电路。;双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET 的高 输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低， 载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小，开关速度快， 但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点， 驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以 上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传 动等领域。 ;关器件的导通和关断进行控制,使输出端得到一系列幅值相等而 宽度不相等的脉冲,用这些脉冲来代替正弦波或其他所需要的波 形.按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制,既可改变逆变电路输 出电压的大小,也可改变输出频率.; ; ;7;8;9;时查用。 6、操作时穿着防静电工作服，佩带防静电完腕扣。注意经常 执行静电释放动作。避免身体的静电损坏线路板及半导体元、器 件。 7、有些无禁固部件的放置形态（如 D 尺寸装置中的电流互感 器）需要注意安放方向标记。 8、拆装前必须完成装置的数据备份。在有工艺调节板（T400， T300，T100 等）时，要将工艺板的参数备份或记录完整。另一 种方法是将原CU 原封不动暂存，用另一块 CU 板在维修期间暂用。 9、紧固可控硅与 IGBT 等功率器件时，应按照指明的紧固力矩 植，用力矩扳手操作。 10、可控硅与 IGBT 模块在与散热器接触的底面上涂有导热硅 脂，器件拆下后，用无水酒精将安装基面擦洗干净，器件安装时 要重新涂覆导热硅脂。注意不是多多益善，越薄、越均匀越好。 ;11;12;13