模拟电子技术基础 知识点总结教学文案.pdf

__________________________________________________ 模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 　*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *正向导通压降硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压硅管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V >V ( 正偏 )，二极管导通(短路); 阳 阴 若 V <V ( 反偏 )，二极管截止(开路)。 阳 阴 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 __________________________________________________ 2) 等效电路法  直流等效电路法 *总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 <V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型  微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连 接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型分为 NPN 和 PNP 两种。 2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 __________________________________________________ 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用 UCES 表示 放大区发射结正偏，集电结反偏。 截止区发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I 、 I 、 I 以及β均增加。 CBO CEO C 三. 低频小信号等效模型（简化） h 输出端交流短路时的输入电阻， ie 常用 r 表示； be h 输出端交流短路时的正向电流传输比， fe 常用β表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 V 、 R 、 R 、C 、C 的作用。 CC b c