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第一章作业 1．形状记忆合金为什么具有形状记忆的功能？ 答：马氏体相变过程如右图。 将形状记忆合金从高温母相（ a）冷却，在低于室温附近的某一温度时，母相（ a）变为 马氏体相（ b），这时的马氏体是由晶体结构相同， 结晶方向不同的复数同系晶体构成， 同母 相相比， 各同系晶体都发生了微小变形， 但形成同系晶体时避免相互之间形变， 从而保证在 外形上没有改变。马氏体相中的 A 面和 B 面在足够小的力下即能移位，所以马氏体相材料 柔软，易变形，在外力作用下，马氏体向着外力择优的方向变形为变形马氏体相（ c）。此材 料在加温时，又能返回母相（ a），从而恢复形状，马氏体相（ b）在温度高于一定程度逆相 变点 Af 时也能返回高温母相。 一般来说， 高温母相只有温度冷却到马氏体相变温度 Ms 以下时， 才开始向马氏体相转 变，但在外力作用下，即使温度高于逆相变点（ Af ），也能形成马氏体相，但此时仅能形成 择优方向的变形马氏体，由于在温度高于（ Af ）时，马氏体相能量不稳定，除去电荷后立 即能恢复到母相（ a）。 综上可知，形状记忆合金具有形状记忆功能。 2．分析说明温度变化对高纯的 Cu，Si 及(Cu-Al-Ti-Ni) 形状记忆合金电阻率（ ρ） 的影响 1）Cu(金属 )：温度升高散射作用增大，电阻率（ ρ）升高；温度下降散射作用减小，电阻率（ ρ）下降； 2）Si（半导体）：温度升高晶格散射加剧会使 μn 减小，但激发产生的载流子增多，使 ρ减小占优势，从而使宏观电阻率 ρ减小，使 Si 呈现负温度特性。 3）(Cu-Al-Ti-Ni) 形状记忆合金： .母相立方晶体，晶格畸变小，散射作用弱， ρ小，马氏体相为斜方晶体，晶格畸变大，散射作用大， ρ大。 ②相变过程中，混合相看哪相比例大。 ③温度升高，散射作用大， ρ增大；温度下降，散射作用小， ρ减小；④实线（降温过程）：母相（高温） → Ms: T 减小， ρ减小； Ms → M f:立方 →斜方变化， T 减小， ρ增大； M f→ 马氏体： T 减小， ρ减小 虚线（升温过程）：马氏体 →As: T 升高， ρ增大。 As→ A f:斜方 → 立方变化， T 升高， ρ减小； A f → 母相： T 升高， ρ升高 3.．超导体处于超导态时应具备哪些特征？如何理解超导体的 “零电阻 ”？ 特征： 1）零电阻效应（ T<Tc，R→0） 2）迈斯纳效应（ T<Tc，B=0） 3）临界磁场效应（ T<T c，H>H c 超导态破坏） 4）临界电流效应（ T<T c，I>I c 超导态破坏） “零电阻 ”： 1） T<Tc， R→0（比常导体的剩余电阻小得多） 2）对直流而言 3） T<Tc， R 突变为 0 4..解释超导机理的 BCS 理论的主要内容是什么？并讨论超导体中常导电子和超导电子的关系如何？ 要点： 1）具有相同速度方向相反的电子在点阵阳离子作用下可结成库伯对 —— 超流粒子。 2）电子按费米球分布，能量低的在费米球内形成常导电子，能量高的在费米面附近。 3）常导电子和超导电子可以温度而相互转化 T>Tc，全部为常导电子。 关系： T<T c，形成的库伯对随 T 降低而增多， T≈ 0K时，全部形成库伯对。 5.以 GaAs/GaAlAs 组成的超晶格为例，讨论材料厚度变化对晶格材料性质有哪些影响？ 要点：如果交替生长的薄膜厚度较大， 那么量子阱和子能带就不明显， 甚至消失而不具有超晶格作用，只能表现出两种禁带宽度 E1 和 E2 不同异质结作用。性质：（1）晶格常数（ 2）禁带宽度 （ 3）隧道效应（ 4）子能带（ 5）高速化 组分超晶格中子能带是如何形成的，影响其禁带宽度的因素有哪些？ P.18 影响其禁带宽度的因素：有效质量和势阱宽度。 7.分析设计应变超晶格材料时，影响其晶格常数和禁带宽度的因素及相互关系 p.19 8.电介质中通常会产生那几种极化方式，简要说明。 p.24 9.分析外电场对晶界势垒及材料的宏观电导率的影响。 p.32 10.在实际应用中，如何来调整半导体陶瓷材料的电阻呢？ p.32 11.分析石英晶体各个轴向产生压电效应的机理。 第二章作业 1.MO 晶体中，常见的点缺陷有哪些？并说明电离缺陷的电学性质及成因常见点缺陷种类：施主： M i,Vx,FM (高价替代 ) 受主： VM，FM ,(高价替代 ) Xi 难生成 成因： 1）具有弗朗克（ FrenKel）缺陷的整比化合物 2）反弗朗克缺陷的整比化合物 3）肖特基（ Schottky）缺陷 4）反肖特基缺陷 5）反结构缺陷 6）非整比化合物 M 1-yX （产生 V M） 7）Vx 空位的产生： MX 1-y 8）非整比化合物 M 1+yX （M i 产生） 9）产