深能级瞬态谱.pdf

深能级瞬态谱 深 能级瞬态谱 （Deep Level Transient Spectroscopy ）是半导体领域研究和 检 测 半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要 技术手 段。根据半导体 P-N 结、 金- 半接触结构肖特基结的瞬态电容（△ C～t ）技术和深能级瞬态谱（ DLTS）的 发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱， 是一种具有很高检测灵敏度的实验 方法， 能检测半导体中微量杂质、 缺陷的深能级及界面态。 通过对样品的温度扫描， 可 以给出表征半导体禁带范围内的杂质、 缺陷深能级及界面态随温度 （即能量）分 布的 DLTS 谱。 DLS-83D集成多种全自动的测量模式及全面的数据 分析 ，可以确定杂质的类 型、含量 以及随深度的分布， 也可用于光伏太阳能电池领域中， 分析少子寿命和 转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位， 确定是何种掺杂元素和 何种元素占位影响少子寿命。 该仪器测量界面态速度快， 精度高， 是生产和科研 中可广为应用的测试技术。 主要特点 探测灵敏度高 可直接求出界面态按能量的分布 可分别 测定 界面态能级和体内深能级 可分别测定俘获截面与能量、温度的关系 性能指标 温度范围： 20K ~ 320K 温度稳定性： 0.1K 温度精度： 1K 或 1% 测试电容： 1 ~ 10000pF -5 电容灵敏度： 2*10 pF 相角稳定性： 0.001 ° 3 检测灵敏度： 1010atoms/cm 应用领域 检测 Si 、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态 产品型号： DLTS 参考价格：面议 厂商性质：一般经销商 产 地：美国 3I 指 数： 404 仪器简介： 美国高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、 界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、 （双 关联 模式）、光激发模式、 FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、 Trap profiling 、 俘获截面测量、 I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP、光子诱导瞬态谱、 DLOS； 测试根据半导体 P-N 结、金- 半接触结构肖特基结的瞬态电容 （△C~t）技术和深 能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏 度的实验方法， 能检测半导体中微量杂质、 缺陷的深能级及界面态。 通过对样品 的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质、 缺陷深能级及界面态随温度 （即 能 量）分布的 DLTS谱，集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析， 可以确 定杂质的类型、含量以及随深度的分布。 也可用于光伏太阳能电池领域中， 分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元 素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。 感谢中国科学院宁波材料研究所 , 国家硅材料深加工产品质量监督检验中心