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第一章 半导体二极管 第一章 半导体二极管 1.本征半导体 1.本征半导体 4 Si Ge  4 Si Ge  单质半导体材料是具有 价共价键晶体结构的硅 和锗 。 单质半导体材料是具有 价共价键晶体结构的硅 和锗 。   导电能力介于导体和绝缘体之间。 导电能力介于导体和绝缘体之间。   特性：光敏、热敏和掺杂特性。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。   本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发 （又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子 （空穴和自由电子对），温度越 理现象是本征激发 （又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子 （空穴和自由电子对），温度越 高，本征激发越强。 高，本征激发越强。 +q  +q  空穴是半导体中的一种等效 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 空穴是半导体中的一种等效 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， +q 使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 使局部显示 电荷的空位宏观定向运动。   在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对 自由电子和空穴消失的现象称为 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对 自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 2．杂质半导体   在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P 3  P 3  型半导体：在本征半导体中掺入微量的 价元素 （多子是空穴，少子是电子）。 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 价元素 （多子是空穴，少子是电子）。 N 5  N 5  型半导体：在本征半导体中掺入微量的 价元素 （多子是电子，少子是空穴）。 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 价元素 （多子是电子，少子是空穴）。   杂质半导体的特性 杂质半导体的特性   载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。   体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。   在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流 （与金属导电一致），还才能在因载流子 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流 （与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 3.PN 结 P N PN 