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晶体硅太阳电池制造关键工艺表面化学处理目的去除硅片表面由于切割而产生的机械损伤层正反二表面各约在硅片表面形成尖峰高度四方锥体绒面间接增加电池对入射太阳光的吸收清除硅片表面的油污和重金属离子等杂质绒面形成方法酸腐蚀与碱腐蚀本生产线单晶采用碱腐蚀多晶采用酸腐蚀设备化学清洗机绒面作用由于入射光在表面的多次反射和折射增加了对光的吸收其反射率很低绒面电池也称为黑体电池或无反射电池对电池片电性能影响直接影响到电池片转换效率基本化学反应原理去除硅片损伤层巴出制绒面威酸去除一些金属离子盐酸具有酸和络合剂的双重作
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晶体硅太阳电池制造关键工艺
表面化学处理
目的:
※去除硅片表面由于切割而产生的机械损伤层，正反二表面各约 10 m
※在硅片表面形成尖峰高度3?6 m四方锥体绒面，间接增加电池对入射 太阳光的吸收;
※清除硅片表面的油污和重金属离子等杂质;
绒面形成方法:
酸腐蚀与碱腐蚀，本生产线单晶采用碱腐蚀，多晶采用酸腐蚀。
设备:
化学清洗机。
绒面作用:
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了对光的吸收，其反射率 很低。绒面电池也称为黑体电池或无反射电池。
对电池片电性能影响:
直接影响到电池片转换效率。
基本化学反应原理:
去除硅片损伤层：Si + 2 NaOH
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