最新版硅片技术标准.docxVIP

PAGE PAGE # 单晶硅片技术标准 1范围 1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。 2规范性引用文件 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3术语和定义 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5点厚度：边缘上下左右 6mm处4点和中心点）； 3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷； 3.4位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示； 3.5崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和 周边弦长给岀； 3.6裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕； 3.7四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。 3.8密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过 5条 4分类 单晶硅片的等级有 A级品和B级品，规格为：125125 I （mm）、125125 U （mm）、156 156（mm）。 5技术要求 5.1外观 见附录表格中检验要求。 5.2外形尺寸 5.2.1方片TV为200 i20 um,测试点为中心点； 5.2.2方片TTV小于30um测试点为边缘 6mm处4点、中心1点； 5.2.3硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15% 5.2.4相邻C段的垂直度：90°±）.3°； 5.2.5其他尺寸要求见表 1。 表1单晶硅片尺寸要求 规格 （mm 尺寸（mm A （边长） B （直径） C （直线段长） D （弧长投影） Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. | 1251251： 125.5 124.5 150.5 149.5 83.9 81.9 21.9 20.2 「125125U 125.5 124.5 165.5 164.5 108.8 106.6 9.4 7.9 1 156156 156.5 155.5 200.5 199.5 126.2 124.1 15.9 14.9 注1： A、B、C、D分别参见图1。  图1 硅单晶片尺寸示意图 5.3材料性质 5.3.1导电类型: 序号 硅片类型 掺杂剂 1 N型 磷(Phosphorous) 2 P型 硼(Boro n) 5.3.2 硅片电阻率：见下表； 5.3.3硅片少子寿命：见下表（此寿命为 2mm样片钝化后的少子寿命）； 晶向：表面晶向100+/-3.0 ° 位错密度 3000pcs/cm2; 氧碳含量：氧含量 20ppma碳含量1.0ppma。 6检测环境、检测设备和检测方法 6.1检测环境：室温，有良好照明（光照度 》000Lux ）。 6.2检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm）、水平测试台面、四探针测试仪、 少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。 6.3检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。 6.4检测 方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检 测报告。 6.5检验结果的判定 检验项目的合格质量水平详见附录表 A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。 7包装、储存和运输要求 7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应， 每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。 7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度： 10C?40C ;湿度：詬0%避免酸碱腐蚀性气氛；避免油 污、灰尘颗粒气氛。 7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。 检验项目 检验要求 抽样 计划 验收 标准 硅片等级 检测工具 A级品 B级品  崩边/ 硅落 崩边硅落长宽 三0.3mm*0.2mm不穿透。 崩边长宽三1mm*1m不 穿透。硅落长宽厚三 1.5mm*1.5mm*100um 数量w 2 数量w 4 切割线 痕 线痕深度三15um但无密集线痕。 线痕深度三30um 外 缺角/ 缺口 缺口长宽三0.2mm*0.1mm无V