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中波 InAsGaSb 超晶格红外焦平面探测器 摘要：由分子束外延生长的 GaSb基的InAs/GaSb超 晶格材料具有良好的均匀性，其在制作红外焦平面探测器方 面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分 子束外延法在 GaSb 衬底上生长了中波段 InAs/GaSb 超晶格 红外探测器材料，对比表明对于中波超晶格材料，生长中断 法优于表面迁移率增强法。利用标准工艺制作了中波红外 PIN单元探测器，并制备了 320X 256的焦平面探测器芯片。 关键词： InAs/GaSb 超晶格；红外焦平面探测器；分子 束外延 中图分类号： TN304 文献标识码： A 文章编号： 1673-5048 （2015） 01-0049-03 0 引言 基于 GaSb 基的材料，包括 InAs， GaSb， A1Sb 可以灵 活地设计成各种新型材料及器件，在近年来受到了广泛的重 视。尤其是InAs/GaSb超晶格具有独特的口型能带结构，在 制作高性能红外探测器方面具有很大的潜力。通过改变超晶 格中每个周期的InAs或GaSb的厚度，可以使超晶格吸收截 止波长覆盖2.7?30卩m的红外波段，有利于实现多光谱探 测的需求，同时其探测性能可以与碲镉汞探测器（ MCT ）相 比拟。由于灵活的材料体系，可以在器件结构中很方便地加 入势垒层，提高器件工作温度和减小暗电流。与 MCT 相比， MBE 外延