模拟电子电路基础：4-3半导体场效应管.ppt

2.N沟道耗尽型MOSFET (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 UGS(off) 3.特性曲线 场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。 4.3.3 场效应管的主要参数和电路模型 1. 场效应三极管的主要参数 ① 开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当uGS=UGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时所对应的漏极电流。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= UDS ID决定，当场效应管的温度达到其极限温度tj时所对应的漏极功耗。与双极型三极管的PCM相当。 2.电路模型 附录 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02。 表02.02 场效应三极管的参数 半导体三极管图片 半导体三极管图片 4.3.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S一般可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多or少子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 第4章 总结 一、PN结及二极管 1、半导体 特点:导电能力可控(受控于光、热、杂质等) 2、PN结 （1）PN结的形成 （2）PN结的单向导电性和PN结的击穿 （3）PN结的电容效应 势垒电容CB 扩散电容CD 3、二极管 （1）二极管的伏安特性 （a）正向特性 开启电压Uth 、导通电压UD(on) （b）反向特性