模拟电子电路基础：5-5放大电路的频率特性.ppt

于是可得场效应三极管的简化高频小信号模型，如图所示。 简化高频小信号模型 几点结论： 3.三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因，上限截止频率由高频时间常数中较大的一个决定； 2.放大电路的耦合电容、旁路电容是引起低频响应的主要原因，下限截止频率主要由低频时间常数中较小的一个决定； 1. C：CM 、C1、C2、Ce R: 与各电容构成回路的等效电阻值。 4.若电压放大倍数Au增加，CM也增加，上限截止频率就下降，通频带变窄。增益和带宽是一对矛盾，所以常把增益带宽积作为衡量放大电路性能的一项重要指标。 若管子参数给定,则增益带宽积=常数 5.CB组态放大电路由于输入电容小，所以CB组态放大电路的上限截止频率比CE组态要高许多。 * * * 产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件，例如 耦合电容、旁路电容、分布电容等; 2.三极管的?(?)是频率的函数。 在研究频率特性时，三极管的低频小信号模型不再适用，而要采用高频小信号模型。 5.5.1 概述 5.5.2 RC电路的频率响应 5.5.3 三极管的高频参数 5.5.4 共射放大电路的频率特性 5.5.5 场效应三极管高频小信号模型 5.5 放大电路的频率特性 幅度频率特性 相位频率特性 幅频特性是描绘输入信号幅度 固定，输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即 相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 一、频率响应（频率特性） 放大器的电压放大倍数与频率的关系 5.5.1 概述 二、典型频率特性曲线： 1、 ：中频放大倍数 2、fL : 下限截止频率（下边频） 3、fH : 上限截止频率（上边频） 4、? f : 通频带（BW） 半功率点 波特图（Bode） dB(decibel):分贝 Au(db)=20logAu Au: 10 102 103 10-1 10-2 Au(db): 20 40 60 -20 -40 -3 折线化 对数分度 （扩大视野） 特点： 优点：1、乘→加 2、人耳对声能的辨别能力与其对数成正比 产生原因: 1.放大电路中存在电抗性元件，例如 耦合电容、旁路电容、分布电容等; 2.三极管的?(?)是频率的函数。 低频小信号模型不再适用 幅频失真 相频失真 线性失真 （组合失真） 三、频率失真 设计电路时，要合适选择耦合电容和旁路电容 5.5.2 RC电路的频率响应 一、 RC低通电路 二、 RC高通电路 频率特性曲线 一、 RC低通电路 R C + + - - i o . . U U 传递函数为： 模： 相 角： 式中： 上限截止频率（上边频） 频率特性曲线 传递函数为： 模： 相 角： 二、 RC高通电路 式中： 下限截止频率（下边频） 一、 各种组态放大电路的比较a、对应关系，体现在动态性能上b、输入电阻，场效应管放大电路比双极型高c、输出电阻，cc与cd都较小，带负载能力强 上节课内容提要 动态性能比较表: CE / CB / CC CS / CG / CD Ri CS：RG CG：RS//(1/gm) CD：RG3+ (RG1 // RG2 ) Ro CS：RD CG：RD CD：RS//(1/gm) 二、放大电路的频率特性 1、基本概念 频率特性、 频率特性曲线、 频率失真 2、RC电路的频率响应 R C + + - - i o . . U U 上限截止频率（上边频） 下限截止频率（下边频） （1）RC低通 （2） RC高通 5.5.3 三极管的高频参数 一、混合π型高频小信号模型 二、 电流放大系数β的频响 一、混合π型高频小信号模型 简化： 忽略rb’c 、 rce 1.等效电路 c c 2.参数计算 3.单向化 密勒定理 Cb’c很小 若电压放大倍数Au增加，CM也增加，上限截止频率就下降，通频带变窄。增益和带宽是一对矛盾，所以常把增益带宽积作为衡量放大电路性能的一项重要指标。 若管子参数给定,则增益带宽积=常数 图 的等效电路 二、 电流放大系数β的频响 1.共射截止频率 当 f = fT 时, 有 2. 特征频率 由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线， 如图所示。 三极管β的幅频特性和相频特性曲线图