模拟电子电路基础：4-1PN结及二极管.ppt

* * 4.1.4 特殊二极管 一、齐纳二极管（稳压二极管） 1、符号及稳压特性 稳压二极管是 应用在反向击穿 区的特殊硅二 极管。 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (b) (c) (a) + - 稳压管的稳压作用在于：电流增量ΔI很大，只引起很小的电压变化ΔVZ 曲线越陡，动态电阻越小，稳压性能越好。 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样 * * 2、稳压二极管主要参数 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ * * (3) 最大耗散功率 PZM 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ，由 PZM和UZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流IZmax 和最小稳定工作电流IZmin 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。而Izmin对应UZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 * * (5)稳定电压温度系数——? 定义：当稳压管工作电流不变时，环境温度每升高1℃所引起的稳定电压变化的百分比。 温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当?UZ? ＞7 V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当?UZ?＜4 V时， UZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。 当4 V＜?UZ? ＜7 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 * * 图B 将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。 符号见图B 三、发光二极管 二、光电二极管 （LED） 将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。 符号见图A 图A 四、变容二极管 4.1.5 二极管应用举例 一、二极管整流电路 利用二极管的单向导电性 二、限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 双向 限幅电路 三、开关电路 在开关电路中，判断二极管是导通的还是截止的方法如下： l??????? 对于单只二极管而言，首先将二极管断开，计算VP、VN的电压值，若VP＞VN，则二极管是导通的；若VP＜VN，则二极管是截止的。 l??????? 对于并联二极管而言，首先将二极管断开，分别进行计算VPi、VNi的电压值，max(VPi、VNi)并且大于0，则正向电压值大的二极管先导通，余下的被钳位。 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管判明后，进一步计算所要求的各物理量。 理想二极管，求VAO 解（a)： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 例1 解：(c) VPN1=12V, VPN2=－3V,则D1 导通，D2截止。VAO=0V。 (d) VPN1=12V, VPN2=18V,则D2先导通，D2导通以后， VAO=－6V，此时D1处于截止状态。 例2 判断D导通还是截止？ 解： 例3： 理想模型 输入电压为0V或5V 求输入值的不同组合下，输出电压值。 * * 附录： 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： * * 半导体二极管图片 * * 半导体二极管图片 * * 半导体二极管图片 * * 半导体二极管图片 * * * * * * * * * * * * ② PN结反偏时 ——截止 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。