第9章金属化及多层互连.pptVIP

多层互连工艺流程 刻蚀接触孔 （ Contact ） 淀积钨 东华理工大学 形成钨塞及淀积铝 刻蚀铝 东华理工大学 层间介质（ IMD ）淀积 刻蚀通孔（ Via ） 东华理工大学 形成第二层钨塞及淀积铝 刻蚀铝 东华理工大学 淀积 IMD2 刻蚀 Via2 东华理工大学 淀积 Metal3 淀积 IMD3 东华理工大学 集成电路制造工艺 东华理工大学 彭新村 xcpeng@ecit.cn第 9 章 金属化与多层互连 IC 中金属的作用及分类 1 2 3 4 5 铝在集成电路技术中的应用 铜及其他金属在 IC 中的应用 多晶硅及硅化物在 IC 中的应用 大规模集成电路与多层互连工艺 东华理工大学 IC 中金属的分类 金属化： 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 MOSFET 栅电极材料 （重掺杂多晶硅） IC 中 的 互连材料 金 （常用金属及金属合金） 属 接触材料 （金属硅化物） 东华理工大学 IC 中的金属 东华理工大学 IC 中的金属 东华理工大学 § 9.1 集成电路对金属化材料的要求 ? 与 n + ， p + 硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，能提供低 阻互连引线，以提高电路速度 ? 长时期在较高电流密度负荷下，抗电迁移能力要好 ? 与绝缘体有良好的附着性 ? 耐腐蚀 ? 易于淀积和刻蚀 ? 易于键合，且键合点能经受长期工作 ? 多层互连