ROM存储器内涵EPROM2716存储器地介绍.docxVIP

实用标准文档 课堂教学实施方案 授课时间： 课 题：只读存储器 ROM、主存储器的设计 5.3 只读存储器 ROM 指在微机系统的在线运行过程中， 只能 对其进行读操作， 而不能进行写操作的一类 存储器，在不断发展变化的过程中， ROM器 件也产生了掩模 ROM、PROM、EPROM、EEPROM 等各种不同类型。 一、掩模 ROM 如图 4-11 所示，是一个简单的 4× 4 位的 MOS ROM存储阵列，采用单译码方式。 这时，有两位地址输入，经译码后，输出四 条字选择线， 每条字选择线选中一个字， 此 时位线的输出即为这个字的每一位。 此时，若有管子与其相连（如位线 1 和位线 4），则相应的 MOS管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“ 0”；而没有管子与其相连的位线（如位线 2 和位线 3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。 二、可编程的 ROM 掩模 ROM的存储单元在生产完成之后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给  S SiO2 晶硅栅浮空多 D Al 字线 P+ P+ 基体 EPROM 位线 (a) (b) 使用者带来了不便。 为了解决这个矛盾， 设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的 ROM 器件，即可编程的 ROM，又称为 PROM。 PROM的类型有多种，我们以二极管破坏型 PROM为例来说明其存储原理。 这种 PROM存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的 PN 结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“ 1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的 PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“ 1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个 PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意 味着写入了“ 1”。读出的操作同掩模 ROM。 除此之外，还有一种熔丝式 PROM，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指 文案大全 实用标准文档 定的熔丝，以达到写入“ 1”的目的。 对 PROM来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种 ROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。 三、 可擦除可编程的 ROM 1．基本存储电路 可擦除可编程的 ROM又称为 EPROM。它的基本存储单元的结构和工作原理如图 4-12 所示。 与普通的 P 沟道增强型 MOS电路相似，这种 EPROM电路在 N 型的基片上扩展了两个高浓度的 P 型区，分别引出源极（ S）和漏极 (D) ，在源极与漏极之间有一个由多晶硅做成的栅极，但 它是浮空 图图 4-12 P 沟道 EPROM结构示意图 的，被绝缘物 SiO2 所包围。在芯片制 作完成时，每个单元的浮动栅极上都没有电荷，所以管子内没有导电沟道，源极与漏极之间不导电，其相应的等效电路如图 4-12(b) 所示，此时表示该存储单元保存的信息为“ 1”。 向该单元写入信息“ 0”：在漏极和源极（即 S）之间加上十 25v 的电压，同时加上编程脉冲 信号 ( 宽度约为 50ns) ，所选中的单元在这个电压的作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会 有电子通过 SiO2 绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后，因为浮动栅被 SiO2 绝缘层包围， 所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，此时说 明将 0 写入该单元。 清除存储单元中所保存的信息 ：必须用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够 的能量，摆脱 SiO2 的包围，以光电流的形式释放掉，这时，原来存储的信息也就不存在了。 由这种存储单元所构成的 ROM存储器芯片，在其上方有一个石英玻璃的窗口，紫外线正是 通过这个窗口来照射其内部电路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外线照射 l5~20 分钟。 2． EPROM芯片 Intel 2716 Intel2716 是一种 2K× 8 的 EPROM存储器芯片，双列直插式封装， 24 个引脚，其最基本的 存 储 单 元， 就 是 采 用 如 上 所 述的 带 有 浮 动 栅 的 MOS 管， 其它 的 典 型 芯片 有 Ietel 2732/27128/27512 等。 ．芯片的内部结构 Intel 2716 存储器芯片的内部结构框图如图 4-13(b) 所示，其主要组成部分包括： 文案大全 实用标准文档 VCC 数据输出 地 O0 ~O7 A7 1 V CC VPP 24 A6 2 23 A 8 OE 输出允许片选 A5 3 22 A 9 输出缓冲 OE 和编程逻辑 A4 4 21 V PP 入 A3 5 20 OE . 输 y 译码 . y 门 A2 6 19 A