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IGCT在大功率电压源逆变器中的应用 导语：?在额定工况连续运行过程中，链节各部件和功率器件的温升不大，无局部过热现象发生，水冷散热情况良好，满足链节运行要求。链节电子设备在高电压强磁场环境下工作可靠，具有很好的抗干扰能力。 采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性能，但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的门极驱动单元，因而造成可靠性下降和价格较高的缺点。此外，也不利于串联以便用于更大容量的装置。硬驱动概念的出现极大地改进了GTO的关断性能。IGCT在GTO技术的基础上，采用硬驱动技术，并将门极驱动电路、GTO芯片和反并联二极管集成于一体，结合了晶闸管的低通态损耗和晶体管均匀的关断能力两种优点，具有开关频率高、损耗小、无需关断吸收电路、串联容易实现等优点，已逐步取代GTO广泛应用于中等电压大容量变流器中。 1．IGCT过电压箝位电路参数设计 链节的设计主要围绕IGCT的安全运行进行，包括驱动电源、控制与保护电路的设计及箝位电路参数设计。IGCT控制与保护电路的设计应注意如下要求： 1）链节直流电容电压必须在IGCT驱动电源完全建立之后建立；相反，IGCT驱动电源必须在链节直流电容完全放电之后关闭，否则，由于IGCT驱动电路的特殊机理，会导致IGCT误导通进而导致桥臂直通，损坏IGCT。 2）控制电源上电过程中应防止产生异常高频驱动脉冲信号，这会导致驱动功率放大部分功率器件损坏。 3）驱动脉冲处理电路要保证最小开通和最小关断时间都大于10微秒。 4）当应用于二极管箝位三点平逆变器时，必须给内部6只IGCT施加正确的外触发脉冲。 当不采用关断吸收电路时，IGCT关断过电压箝位电路的布置必须仔细设计，确保其回路杂散电感小于IGCT参数表中推荐的值。 LA为阳极电抗，起到抑制IGCT开通电流上升率di/dt的作用，DA、CCL、RA起到IGCT关断过电压箝位的作用。IGCT箝位电路参数按如下方法设计： 1）阳极电抗 di/dtmax是IGCT和反并联二极管允许的最大值。即在电压型逆变器中，每个IGCT的导通都伴随着一个二极管的关断，因此必须考虑二极管关断时允许的最大di/dt。 2）阳极电路与桥臂间的杂散电抗 越小越好。越大导致IGTC关断损耗和第一个关断过电压越大，安全工作区越小。 3）箝位电路 当直流侧电容远大于箝位电容且杂散电感可忽略时，阳极箝位电路可看成一个阻尼并联谐振的RLC电路。一般的应用中，直流侧电容远大于箝位电容是成立的，但杂散电感一般不可忽略。有时回路CD-CCL-RA中的杂散电感LS对关断时IGCT阳阴极间的第二个过电压峰值VDM的影响不能忽略。 然而，不只要考虑VDM，还要考虑阳极电路到准备好下一次换流前所需的时间。当IGCT导通时，箝位二极管被强制从导通状态或低电压阻断状态变成高电压阻断状态。如果二极管正在导通，它此时关断的di/dt只被LCL限制。在重复的工况下，这种应力可能会超过二极管允许的di/dt能力。因此，IGCT在关断后必须保持一个最小的关断时间，以保证箝位二极管承受的关断di/dt在允许范围内。 知道箝位电抗值后，其他箝位电路元件参数可通过求解二阶微分方程得到。 设定阻尼系数D为0.8，则如果RA-CCL-CD回路的杂散电感很小，就可得到一个可接收的关断暂态过程。 最后，IGCT的最小关断时间可设为等于阻尼振荡的周期TD。 对5SHX08D4502型IGCT，选LA=12微亨，di/dt最大为230A/uS（直流电压为2800V），满足要求。按以上计算方法并留出裕量，CCL选取为2微法，RA选为1.2欧，最小关断时间选取必须大于25微秒。 对5SHY35L4510型IGCT，选LA=5微亨，di/dt最大为560A/uS（直流电压为2800V），满足要求。按以上计算方法并留出裕量，CCL选取为10微法，RA选为0.65欧，最小关断时间选取必须大于10微秒。 2．IGCT在NPC三电平逆变器中的应用 当采用图2所示的逆变器实现6kV异步电机的变频调速时，每只IGCT必须采用两只4500VIGCT串联运行。为了保证串联的IGCT能有好的均压效果，需要采用图2所示的均压电路。图3给出了两只5SHX08D4502型IGCT串联运行时实测的关断过程阳阴极电压波形，表明只要采用适当的均压电路参数，IGCT在开关及过程中及关断状态均能保持良好的均压效果。 由于NPC三电平逆变实现6kV变频器时IGCT必须采用RC吸收电路保证其均压，而RC吸收电路将导致NPC三电平逆变器内部六只IGCT