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第 2 章 TMS320F281x 系统 和中断外围 2.1 TMS320F28x 的存储器 2.1.1 Flash 和 OTP 存储器简介 本节描述 281x 中的Flash 和一次性编程 OTP 存储器特点。 片内 Flash 存储器在程序和数据存储器空间中均匀分布。Flash 存储器有如下特点： 多个分区 有代码安全保护 有低功耗模式 可根据 CPU 频率调整的等待状态 Flash 管线模式可提高性能 2K ×16 的 OTP 存储器用于存放 TI 公司专用的工程和制造 。余下空间用户可以用 来存放自己的代码或数据。 有一些相关的寄存器可以用于配置 Flash 和 OTP 存储器。但必须注意的是只有在执行 了 EALLOW 指令后，才可以将数据写入这些寄存器。执行了 EDIS 指令后，数据写入操作 被 执行。这可以保护寄存器免于 扰。读寄存器操作一直可以进行。通过 JTAG 口可以读写这些寄存器内容而不用执行EALLOW 指令。寄存器支持 16 位和 32 位操作。 注意：执行 Flash 寄存器配置任务的代码 放在 Flash 或 OTP 存储器中执行。代码应 该放在 Flash 和 OTP 外的其它 RAM 空间进行。而且当 Flash 或 OTP 存储器中正在跑程序时 也不要对 Flash 和 OTP 寄存器进行操作，直到程序结束后才可进行操作。在 Flash/OTP 中运 行的代码可以读 Flash 寄存器中的内容，但千万不要写内容进去。这样做是为了避免时序上 的混乱。 2.1.2 Flash 和 OTP 功耗模式 Flash 和 OTP 有三种功耗模式 复位或睡眠状态：DSP 复位后的缺省模式，该模式下存储器部分和激活部分均处于睡眠 状态（最低功耗） 。 备用状态：在该状态或睡眠状态下进行 CPU 的读或取操作将自动使 DSP 的工作模式变 为活跃状态。 活跃或读状态：该状态下 DSP 功耗最高。 在从 Flash/OTP 中读或执行代码操作期间，功耗模式是保持不变的。如果要改变功耗模 式，可以采用如下几种方法： 移到低功耗状态：如果要将 DSP 从高功耗模式带入更低一点的功耗模式， 只需改变 PWR 模式位（FPWR 寄存器中）就可瞬时完成。寄存器操作应该在 flash/OTP 行。 将 DSP 从低功耗模式带入更高功耗模式： 1．改变FPWR 寄存器中的PWR 模式位。 2 ．开始一个flash/OTP 存储器的读或程序取指令过程 当DSP 从低功耗模式转入高功耗模式时存在一段延时，该延时用于使 flash 稳定。如果 33 在这段延时时间内就开始对 flash/OTP 进行操作，则 CPU 的操作会自动停止直到延时过程 结束。延时时间是由用户软件 的。FSTDBYWAIT 寄存器中的值决定从睡眠模式到备用 模式的延时。FACTIVEWAIT 寄存器中的值决定从备用模式到活跃模式的延时。如果要从睡 眠模式直接跳到活跃模式，延时由 FSTDBYWAIT ＋FACTIVEWAIT 决定。 2.1.3 Flash 和 OTP 性能 CPU 对 flash/OTP 的操作可采用如下方式中的一种： 32 位取指令 16 位或 32 位数据空间读操作 16 位程序空间读操作 一旦 flash 处于活跃状态，对存储体的读写处理有如下三种类型： Flash 存储器随即存取：FBANKWAIT 寄存器中的 RANDWAIT 位可决定随即存取的等 待状态时间。缺省值为最大值，为了提高性能，用户可以根据 CPU 时钟和 flash 的处理 时间填入合适的值。 Flash 存储器页面存取：flash 阵列由行和列组