半导体器件芯片常用型号参数特性解析大全.pdfVIP

半导体器件常用型号参数解析 一、半导体二极管参数符号及其意义 CT 势垒电容 Cj 结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv 偏压结电容 Co 零偏压电容 Cjo 零偏压结电容 Cjo/Cjn 结电容变化 Cs 管壳电容或封装电容 Ct 总电容 CTV 电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC 电容温度系数 Cvn 标称电容 IF 正向直流电流 （正向测试电流） 。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电流； 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值）， 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流； 测稳压二极管正向电参数时给定的电 流 IF （AV ） 正向平均电流 IFM （IM ） 正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲 电流。发光二极管极限电流。 IH 恒定电流、维持电流。 Ii 发光二极管起辉电流 IFRM 正向重复峰值电流 IFSM 正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io 整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通