模电历年真题汇编-武理.pdf

武汉理工大学 《模拟电子技术基础》 历年真题汇编 随米文库 wenku.sui.me 1 《模拟电子技术基础》目录 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（一）3 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（一） 参考答案8 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（二）11 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（二） 参考答案15 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（三）19 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（三） 参考答案24 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（四）26 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（四） 参考答案29 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（五）30 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（五） 参考答案35 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（六）36 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（六） 参考答案40 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（七）41 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（七） 参考答案46 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（八）47 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（八） 参考答案52 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（九）54 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（九） 参考答案58 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十）61 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十） 参考答案65 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十一）69 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十一） 参考答案74 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十二）75 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十二） 参考答案79 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十三）80 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（十三） 参考答案85 2 武汉理工大学《模拟电子技术基础》试卷（一） 一、填空题（15 分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2 、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3 ．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4 ．某放大器的下限角频率 ，上限角频率 ，则带宽为 Hz 。   L H 5 ．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6 ．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大 于 才能起振。 7 ．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发 生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15 分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2 ．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3 ．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B