BPA8505D 参考设计12V250mA 详细测试报告.pdf

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2021-04-05 发布于广东
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BPA8504D直接替代LNK304BPA8505D直接代替LNK305BPA8505D直接替代SC1117BPA8506直接替代LNK306BPA8506直接替代SC1145DGBPA8505P为DIP封装

— 股票代码 688368 — BPA8505D非隔离参考设计 (12V/250mA) 上海晶丰明源半导体股份有限公司 Shanghai Bright Power Semiconductor Co., Ltd. 赵志良时间：2020年8月内容  BPA8505D简介  电源规格  电路及实物图  BOM  PCB Layout图 性能测试数据 BPS Confidential 2 BPA8505D简介 产品特点：  集成 650V 高压 MOSFET BPA8505D  PWM控制模式，低输出纹波  内置软启动功能  集成高压启动、自供电电路  低音频噪声 应用领域：  家用电器辅助电源  电机驱动辅助电源  IOT/智能家居/智能照明  工业控制辅助电源 SOP7 BPS Confidential 3 电源规格项目描述符号最小典型最大单位备注输入电压 VIN 85 115/230 264 VAC 频率 fLINE 47 50/60 63 Hz 输出输出电压 VOUT 11.4 12 12.6 V ±5% 输出电流 IOUT 0 250 mA 输出电压纹波 VRIPPLE 100 mV 20MHz带宽连续输出功率 POUT 3 W 效率待机功耗 PSTDBY 120 mW 230VAC,包含假负载满载效率 η 70 % 环境传导EMI 满足CISPR22/EN55022 Class B，至少6dB 裕量 Surge 2 kV 差模 EFT 4 kV 5kHz/100kHz/38kHz ESD 15 20 kV 空气放电