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20XX ? Knowledge Points 知识点汇编 模仿电子技术复习资料总结 榜首章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电才能介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。表现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻---一般把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。 　*转型---经过改动掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为别的一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的触摸电位差---硅资料约为0.6~0.8V，锗资料约为0.2~0.3V。 * PN结的单导游电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单导游电性------正导游通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正导游通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.剖析办法------将二极管断开，剖析二极管两头电位的凹凸: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 1）图解剖析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态作业点Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手法----将二极管断开，剖析二极管两头电位的凹凸: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效电路法 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常作业时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向衔接。 第二章 三极管及其根本扩大电路 一. 三极管的结构、类型及特色 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.特色---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区触摸 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区触摸面积较大。 二. 三极管的作业原理 1. 三极管的三种根本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流扩大系数 (标明三极管是电流操控器材 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱满管压降，用UCES标明 扩大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均添加。 三. 低频小信号等效模型（简化） hie---输出端沟通短路时的输入电阻， 常用rbe标明； hfe---输出端沟通短路时的正向电流传输比， 常用β标明； 四. 根本扩大电路组成及其准则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.组成准则----能扩大、不失真、能传输。 五. 扩大电路的图解剖析法 1. 直流转路与静态剖析 *概念---直流电流转的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确认静态作业点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确认的直线。 *电路参数对静态作业点的影响 1）改动Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改动Rc ：Q点在IBQ地点的那条输出特性曲线上移动。 3）改动VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2. 沟通通路与动态剖析 *概念---沟通电流流转的回路 *画法---电容视为短路,抱负直流电压源视为短路。 *作用---剖析信号被扩大的进程。 *沟通负载线--- 衔接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3. 静态作业点与非线性失真 （1）截止失真 *发生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 *消除办法---减小Rb，进步Q。 （2） 饱满失真 *发生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。 *消除办法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 扩大器的动态规模 （1） Uopp---是指扩大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）规模 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时，受截止失真约束，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）