高电压技术均匀电场中气体的击穿过程1.2.3-均匀电场中气体的击穿过程.pptx

高电压技术;重庆电力高等专科学校; 重庆电力高等专科学校;1.2.3 均匀电场中气体的击穿过程;均匀电场：气隙中各处电场强度相等;;均匀电场中气体的伏安特性;为了解释上面试验结果，汤逊于1903年提出气体击穿机理，1910年提出气体击穿的判据。;;AB段：U;自由电子e将按几何级数迅猛增加，如雪崩一样发展。这个不断增加的电子流被形象地称为电子崩。此阶段称为汤逊放电阶段。;当外施电压U＜Ub时，若取消外界游离因素，电子崩会消失，电流也将消失，这类放电称为非自持放电。如图1-14所示。; C点后： 当外施电压U≥Ub时，由于场强足够大，正离子撞击阴极会发生表面游离，释放出的电子又会引起电子崩，这时气体中的游离过程可只靠电场的作用自行维持，而不再需要外界游离因素，这就是自持放电。如图1-15所示。 ;电子崩与自持放电;汤逊理论是在低气压、短间隙（ pd26.66kPa ·cm）条件下建立起来的. 均匀电场中，气体间隙的击穿主要由电子的碰撞游离和正离子撞击阴极表面造成的表面游离所引起。 电子碰撞游离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极表面使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。;;Ub = f(pd);巴申曲线解释;汤逊理论是在低气压pd较小条件下建立起来的， pd过大，汤逊理论就不再适用 pd过大时（气压高、距离大）汤逊理论无法解释： 放电时间：很短 放电外形：具有分支的细通道 击穿电压：与理论计算不一致 阴极材料：无关 汤逊理论适用于pd26.66kPa ·cm; 工程上更感兴趣的是大气压下空气中的放电 1939年 米克、雷泽等人在雾室里对放电过程中带电粒子的运动轨迹拍照进行研究，于1940年发表了流注理论——适合于pd较大的气隙的击穿过程 建立的基础：是在电子崩理论基础上经大量实验，为补充和发展电子崩理论而提出的 ;流注理论认为电子的碰撞游离和空间光游离是形成自持放电的主要因素，空间电荷对电场的畸变作用是产生光游离的重要原因。 ;;外施电压大于气隙击穿电压时，首先形成主电子崩。;流注的形成及发展过程总结如图1-19所示。;流注理论对放电现象的解释;小 结;思考题;Thank You !