1173--功率MOSFET的特性（茂钿）.docxVIP

MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD 功率MOS FET 功率MOS FET的特性 1. 绝对最大额定值及电特性 1.1 绝对最大额定值 将绝对最大额定值项目的耐压 VDSS、漏极电流ID 和沟道损耗容限 Pch，分别规定为独立的项目。此外，还 表示上述项目在任何使用条件下都不能超过额定值。绝对最大额定值的项目与其他特性之间大多存在着密切的 联系，因此必须注意不要使各个项目同时达到最大额定值。 (1) 漏极/源极耐压　VDSS 该项表示在栅极 / 源极之间短路时可外加到漏极 / 源极之间的最大电压。 VDSS 因温度的变化而产生波 动。当如图1所示的结温Tj上升到100°C时，V(BR)DSS增加约10%。必须注意当Tj下降时，V(BR)DSS也 会以相同的比率下降。 1.20 1.15 1.10 1.05 1.00 0.95 0.90 0.85 ID=10mA VGS=0 0.80 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 ??Tj(°C) 图1 相对于结温的V(BR)DSS变化率 (2) 栅极/源极耐压　VGSS 当漏极/源极之间短路时，对在栅极/源极之间插入保护二极管的器件进行测量，而对于没有保护二极 管的器件无法进行测量。 (3) 漏极电流ID、漏极峰值电流　ID(peak)或者ID(pulse) 在沟道损耗容限内，可在漏极连续通入的直流电流最大值用ID表示，在平均电流不超过ID的范围内， 可通入的交流漏极电流的峰值用ID(peak)或者ID(pulse)表示。 一般情况下工作时的ID空许值，可根据以下公式进行计算： I = Tch ? Tc max. (A)··············································① Dmax. θch ? c ?R max. DS(on) 同样， ID(peak)的容许值也可根据以下公式进行计算： I max. = Tch max. ? Tc (A) D(peak) ··································② θch ? c(t)?R max. DS(on) 但是， Tc h max. ：沟道最高温度(150°C) Tc ：外壳温度 θch-c ：直流时的热阻 θch-c(t) ：过渡热阻 MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Notes regarding these materials 1. This document is provided for reference purposes only so that Mos-tech customers may select the appropriate Mos-tech products for their use. Mos-tech neither makes warranties or representations with respect to the accuracy or completeness of the information contained in this document nor grants any license to any intellectual property rights or any other rights of Mos-tech or any third party with respect to the information in this document. 2. Mos-tech shall have no liability for damages or infringement of any intellectual property or other rights arising out of the use of any information in this document, including, but not limited to, product data, diagrams, charts, programs, algorithms, and application circuit examples. 3. You should not use the products or the technology described in this document for the purpose of military applications such as the development of weapons of mass destruction or fo