单晶硅生产工艺专利现状分析.docVIP

精编范文 第 PAGE1 页 /共 NUMPAGES1页 单晶硅生产工艺专利现状分析 温馨提示：本文是笔者精心整理编制而成，有很强的的实用性和参考性，下载完成后可以直接编辑，并根据自己的需求进行修改套用。 单晶硅生产工艺专利现状分析 本文关键词：单晶硅, 生产工艺, 现状分析, 专利 单晶硅生产工艺专利现状分析 本文简介：1947年, 美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管, 从此开拓了硅材料的高速发展时代。1958年, 美国2家公司率先发明了半导体集成电路IC产品。目前, 信息技术产业的发展已进入特大规模集成时代。信息技术产业的发展程度是国家实力的体现, 现在全世界有95%以上的信息技术产业基础材料是由硅晶体材料制成。同时, 单晶硅生产工艺专利现状分析 本文内容： 1947年, 美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管, 从此开拓了硅材料的高速发展时代。1958年, 美国2家公司率先发明了半导体集成电路IC产品。目前, 信息技术产业的发展已进入特大规模集成时代。信息技术产业的发展程度是国家实力的体现, 现在全世界有95%以上的信息技术产业基础材料是由硅晶体材料制成。同时, 随着光伏产业的迅猛发展, 单晶硅材料又被用来制造太阳能电池。目前, 单晶硅材料已是信息技术产业和太阳能光伏产业最重要的基础功能材料[1,2]。随着信息科技产业的发展, 单晶硅材料的需求持续增长, 相关研究的发展促使硅材料技术领域的专利申请量也急剧增加。专利是反映科学技术发展水平最新动态的情报文献[3]。目前, 许多相关文献对硅晶体专利进行了分析[3], 但对于单晶硅材料生产工艺的专利分析未见报道。国家发展和改革委员会以及商务部发布的《鼓励外商投资产业目录（2021版）》中, 提到了单晶硅生产工艺领域对外开放。故本文对全球单晶硅生产工艺专利进行分析, 展示我国单晶硅材料的生产工艺的专利发展现状和竞争态势, 为硅材料技术领域的产业发展提供借鉴。 1检索数据库和分析工具 本文数据来自律商联讯（LexisNexis）公司的专利分析PatentSight系统和国家知识产权局的专利检索与服务系统——中国专利检索系统文摘数据库。专利采集数据样本为1970年1月1日至本文完稿公开的全球专利, 去除合并同族后的专利样本进行分析。检索策略以单晶硅生产工艺为中英文关键词和IPC分类号C30B15、C30B27、C30B29/06进行组合检索。为更好地体现实际技术数量, 检索结果进行了同族合并, 即申请和授权、中国专利和国外专利合并为同一个专利。检索命中4543件全球专利, 按照以上方法优化后为3104件。 2专利分析指标 2.1重点生产工艺技术领域IPC专利申请量分布分析 IPC是目前国际通用的专利分类体系, 它按照专利文献的技术主题进行分类, 是全球专利文献的管理组织WIPO和科技工作者检索经常使用的手段。本文对单晶硅生产工艺技术领域相关专利数据的IPC分布情况进行统计分析, 可获知所涉及的重点技术分支领域和发展趋势[4]。结合国际专利分类表IPC中单晶硅不同生长方法的相关分类, 对采集到的专利数据样本进行了统计分析, 得到单晶硅不同生产工艺技术领域的专利申请量分布, 结果如图1所示。从图1可以看出, 专利申请中涉及的单晶硅生长方法主要包括直拉法（C30B15、C30B27）、基座法（C30B11）、区熔法（C30B13）、气相生长法（C30B23、C30B25）、片状生长法（C30B30）等。因上述各自的制备工艺复杂、产品性能不良、成本等因素未能被普遍推广。直拉法（Czochralski, CZ）投料多, 生产的单晶直径大, 设备自动化程度高, 工艺比较简单, 生产效率高。直拉法相关的专利申请量是最多的, 占总申请量的比例73%, 与文献[1]描述的直拉法生产的单晶硅, 占直接单晶硅总量的70%以上数据相一致。图1反映出了目前生产单晶硅技术的研究趋势和方向, 本文笔者将主要研究直拉法单晶硅的生产工艺的专利趋势。 2.2全球专利申请量年度分布趋势 图2为直拉法单晶硅生产工艺全球专利申请数量的年度分布图按照专利法规定, 除提前公开的情形外, 自专利申请日18个月后会公开申请文本, 所以图2数据选择截至20__年底, 数据尚不完整, 统计结果会有误差。经统计, 我国专利局受理我国申请人（以下简称“国内申请”）的单晶硅生产工艺专利申请共计978件, 国外申请人申请的全球专利（以下简称“国外申请”）为2126件, 我国专利数量占比整体为31.5%, 将近1/3的技术份额, 说明整体上我国直拉法单晶硅生产工艺占