完整word版中等职业学校电子技术基础教案.docx

第1. 2课时 课题 半导体特性、PN结、二极管 课型 目 学 教的 PN结的形成与特性了解半导体的特性和掌握二极管、稳压管的特性 重点 难点 PN结的形成与特性二极管的伏安特性 程学过教 半导体的导电特性?、1、光敬性、热敬性、可掺杂性、本征半导体：纯净的半导体称为本 征半导体。2型半导体3、N结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流了数目增多，自由电了是 多了型半导体4、P结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流/数目增多，空穴是多了结的形 成与特性PV二、形成过程、1特性：单向导电性、2三、二极管1、结构、外形、分类：： 有硅二极管，错二极管和砂化稼二极管等。(1)按材料分有点接触型、面接触型二极管。结而积 大小根据PN, (2)按结构分：有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (3) 按用途分：有塑封及金属封等二极管。)按封装形式分： (4 有大功率、中功率及小功率等二极管。 : (5)按功率分2、主要参数3、判别办法：用万用衣欧姆档判别正、负极及好坏。、二 极管的伏安特性。4、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管5课后 半导体有自由电了和空穴 两种載流了参与导电PN结具有单向导电性 刀、结普通二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由PN结构成。但稳压二极管工作在反向击 穿区 1 课题 半导体三极管 课型 教学目 的 1、 了解三极管的结构与特性：2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点难 点 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型  集电区基区制抠集电结发射結 *集电区!\、 集电区 基区 制抠 集电结 发射結 * 集电区 ! \ 、P 基区、 X — 发射区" * p ■ 1 —发射结 ?集电结 ?2. 1. 1三极管结构示意图和表示符号 二、 三极管在电路中的联接方式 三、 三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放人作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电了?在基区的扩散和复合过程 II??BC ）电了被集电区收集的过程3二、特性曲线和主要参数u?i?常数）1常数2、输出特 性：戶f（U 1、输入特性：1 =f（UCEBBECBCE课后了解三极管的结构与特性：掌握三极管的类型和 电流放大原理： 小结理解三极管的特性曲线和主要参数。 2 第 5、6 课时 课题 共发射极放大电路课型 ? A 0 U C E 教学 目的 1、了解电路的结构组成2、用图解法分析静态工作点和动态波形 重点 难点 1、电流放大原理2、特性曲线  教学过程三、三极管的基本结构 和类型1 教学过程三、三极管的基本结构 和类型1、、在电路中的联接方式2四、 极管的电流放大作用及原理 五、特性 曲线和主要参数1、输入特性+II=L CZ? II?BC、输 出特性2 I常数尸f(U)|Uc陂E：)|I=f(U I X常数3、主要参数 一、电路组成及各元件作用 二、 图解法分析静态工作1、直 线：IR=U-U 直 BfBBCC 线:U=IR+U、CHQCCCC 三、 动态波形分析 ?A804niA/icN33.?A063Q?A04281.2?iB 1?M 1689)(0200124 课后 了解共发射极放大电路的结构组成，及原理。熟练进行图解法分析放 小结 大器的静态工作点和动态波形。 第7、8 课时 课题 共发射极放大电路的动态分析 课型 教学 了解微变等效法定量讣算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点 微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数微变等效电路的 难点 画法  教学过程 一、 三极管的微变等效电路： lliccbbCClblllUU ^bececebebuebee 二、 放大器的微变等效电路： U.oA 2..电压放大倍数三、交流动态参数的计算：1输入输出电二uU课后掌 握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 小结 PAGE PAGE # PAGE PAGE # 第9. 10 课时 课题 放大器的偏置电路 课型 教学 目的 了解放大器静态工作点变化对放大器性能的影响：掌握放大器偏置电 路的分析计算。 重点 难点 放大器静态工作点变化对放大器性能的影响放大器偏置电路的分析 计算 教学过程 一、静态工作点不稳定的原因 静态工作点不稳定的原因较多，如温度变化、电源波动、元件老化而使参数发 生变化等，其中最重要的原因是温度变化的影响。 1、温度变化时对I的影响號一般情况，温度每升高12°C ,错管I数值增大 一倍；温度每升高8°C时，□硅管的I数值增大一倍。口 2、温度变化对发 射结电压u影响乂在电源电压不变的情况下，温度升