半导体器件原理解读.pptVIP

半导体器件原理 2018/10/13 2 提纲 半导体中的载流子及其运动 P-N 结的特性 MOS 晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性 硅平面工艺简介（ E/D NMOS 工艺结构介绍） 2018/10/13 3 半导体中的载流子及其运动 硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶 体的性质与晶向有关，表面 的性质与晶面有关 硅原子最小距离： 0.235nm 晶格常数： 0.543089nm 2018/10/13 4 半导体中的载流子及分布 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体： ρ ＜ 10 -4 Ωcm 绝缘体： ρ ＞ 10 10 Ωcm 半导体： 10 -4 ＜ ρ ＜ 10 10 Ωcm 导电能力的决定因素 σ ＝ 1/ρ ＝ nqμ n: 载流子的浓度， 决定因素 q: 载流子的电荷 μ: 载流子的迁移率 （相差不大） 2018/10/13 5 半导体中的载流子及分布 硅单晶导电性能 硅原子四个价电子，与周围四 个原子各出一个电子形成共价 键→每个原子周围八个电子→ 共价键晶体 热激发→价带电子跃迁到导带 →载流子→