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诚信应考,考试作弊将带来严重后果!
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华南理工大学期末考试
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?
?
《电力电子技术基础》试卷
号
?
位
?
注意事:1.考前将密封内填写清楚;
座
?
2.
所有答案直接答在卷上
(或答上);
?
3
.考形式:卷;
4.
100分,考120
分。
?
本卷共
大,分
?
题号
一
二
三
四
五
总分
?
得分
?
评卷人
?
?
?
一.
选择题(单选,共
10分)
?
1.关于双极型晶体管
(IGBT),下面法的是
(
A)
业
?
A.IGBT相比MOSFET,其通阻大,因而通耗也大
专
?
?
B.IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的
?
C.IGBT工作在开关状,是在正向阻断区和和区之
?
D.开关率介于
GTR和MOSFET之
?
2.三相半波可控整流路,在阻性,其移相范是
(C)
)
?
封
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
?
3.相式全控整流路中,由于器漏感造成的流降
(A
)
答
?
A.2XBId
院
不?
B.XBId
?
学内
C.1XBId
D.3XBId
?
?
封?
2
4.下列路中,不可以有源逆的是
(B)
密?
A.相双半波可控整流路
B.相式半控整流路
(
?
?
C.相式全控整流路
D.三相式全控整流路
?
5.下列可控整流路中,出波含量最少的是
(D)
?
A.三相半波
B.相双半波
C.三相式
D.十二相整流
?
6.型逆路的特点不包含(A)
?
A.直流接大感
B.交流流接正弦波
?
C.直流无脉
D.直流流有脉
?
7.波路的方法是(
C)
号
?
A.改开关率
B.改开关周期C.改占空比D.改流
密
学
?
8.三相式全控整流路,阻感,采用同步信号波的触路,同步信号
?
正弦波落后于加于晶管的相
(C)
?
A.90o
B.120o
C.180o
D.240o
?
9.交-交路的最高工作率(B)
?
A.源率的2倍到3倍
B.源率的1
倍到1
倍
?
?
2
3
C.和源率相同
D.源率的整数倍
名
?
姓
?
?
?
?
?
?
10.SPWM
的电路基波是
(A
)
A.正弦波
B.三角波
C.锯齿波
D.方波
二.是非判断(共
10分)
1.“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
????
(
T)
2.达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极
双极型晶体管属电压驱动型开关管。
?????????????????
(
T)
3.对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电
流、单相半波可控整流电流和单相双半波直流电路。 ?????????? ( F)
4.导致开关损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障。 ?????(T )
5.对于三相半波整流电路,电阻性负载,当 Id一定时,流过晶闸管的电流有效值 IT随
控制角α的增加而增加。 ???????????????????? (F )铿纜辊轢钙籩靈统兹莧閡饭髌尋砻。
6.对于三相半波整流电路电阻性负载,当α=
45o,u2
100V
时,输出电压平均值约
为85V。????????????????????????????
( T)
7.在SPWM控制的逆变电路中,载波频率越高,谐波频率也就越高,高次谐波也就越
容易滤除。?????????????????????????? ( T)
8.在 GTR的驱动电路设计中,为了使 GTR快速导通,应尽可能使基极驱动电流大
些。????????????????????????????? ( F)
9.尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。 ?????(T )
10.在有源逆变电路中,当某一晶闸管发生故障,失去开通能力,则会导致逆变失
败。????????????????????????????? (T )
萵驟鵬剐颂胫萵渌懒羈島鞑滎庐鋮。
三.填空(每
3分,共15分)
1.正弦脉宽调制(SPWM)技术用于电压型逆变电路中,当改变
调制比
可改变逆变器输出电压幅值;改变
调制波频率
可改变逆变器输出电压频率;
改变
载波频率
可改变开关管的工作频率。
2.三相桥式可控整流电路,若输入电压为
u2
100sin
t,电阻性负载,设控制角
30,则输出电压
Ud=82.73V
。
3.设DC-DC变换器的Boost电路中,Ui
10.0V
,D=0.7,则Uo=33.3
。
4.单相双半波(又称单相全波)可控整流电路,如
VT1
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