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- 2021-07-04 发布于河北
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半导体制造工艺;微电子学:
Microelectronics
微电子学——微型电子学
核心——半导体器件;半导体器件设计与制造的主要流程框架;;沟道长度为0.15微米的晶体管;
50?m;N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路):目前应用最为广泛的一种集成电路,约占集成电路总数的95%以上。;;半导体制造工艺;图形转换:光刻;光刻;正胶:曝光后可溶
负胶:曝光后不可溶;图形转换:光刻;三种光刻方式;图形转换:光刻;图形转换:刻蚀技术;图形转换:刻蚀技术;干法刻蚀;杂质掺杂;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散:如B2O3、P2O5、BN等;利用液态源进行扩散的装置示意图;离子注入;离子注入系统的原理示意图;离子注入到无定形靶中的高斯分布情况;退 火;氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);APCVD反应器的结构示意图; LPCVD反应器的结构示意图;平行板型PECVD反应器的结构示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);物理气相淀积(PVD);蒸发原理图;;半导体工艺;集成电路制造工艺
;20世纪60年代的典型工艺;20世纪70年代的典型工艺;20世纪80年代的典型工艺;N-we
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