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半导体发光二极管芯片测试方法 浙江大学 鲍 超 国家半导体器件质量监督检验中心 刘东月 内容简介 一．国内外发展现状 二．制定标准的重要性和必要性 三．适用范围 四．术语、定义和符号 五．测试条件 六．芯片点亮条件 七．测试方法 八．芯片发光强度测试系统校准程序 国家半导体器件质量监督检验中心 一．国内外发展现状 发光二极管（LED）芯片的发展是LED产业发展的基 础，国际LED标委会一直在努力制定LED器件的测试标 准，这些标准不仅对规范LED器件的测试起到了指导作 用，同时对LED行业的快速发展也起到了很大的推动作 用。我国现有的与半导体分立器件芯片相关的总规范主要 有以下3个，目前国际上还没有LED 芯片测试方法的标 准。 1.SJ/T 10416-1993 半导体分立器件芯片总规范 2.GJB2438A-2002 混合集成电路通用规范 3.Q/AT21001-2005 半导体分立器件芯片通用规范 国家半导体器件质量监督检验中心 二．制定标准的重要性和必要性 LED 芯片测试方法还没有相应的标准，这样 LED芯片作为产品交货时，缺乏相应的技术要求 来规范产品的质量等级和性能要求。往往是等到 封装后测试才知道芯片的指标能否满足要求，这 样不仅造成了人力物力的浪费，也增加了评价产 品性能优劣的周期。准确测试LED芯片各项参数 对LED器件的各个生产环节都起着极为重要的作 用，为了推进和规范LED芯片测试方法，必须制 定产业界切实有效的LED芯片测试方法的标准。 国家半导体器件质量监督检验中心 三．适用范围 本标准规定了半导体发光二极管芯片（以 下简称芯片）的辐射度学、光度学、色度 学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测 试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯 片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及 外延片的测试可参考执行。 国家半导体器件质量监督检验中心 四．术语、定义和符号 1. 发光二极管芯片 chip of light emitting diode 除半导体激光器外，当电流激励时能发射 光学辐射的半导体二极管芯片。 2. 探针台probe station 将钨质探针压在芯片的电极上，完成与芯 片的电气连接的装置. 国家半导体器件质量监督检验中心 五．测试条件 除非另有规定，芯片的电参数测量应按本标 准规定的条件进行。 1. 标准大气条件 温度：15 ℃～35 ℃ 相对湿度：20 ％RH ～80 ％RH 气压：86 kPa～106 kPa 2. 仲裁试验的标准大气条件 温度：25 ℃±1 ℃ 相对湿度：48 ％RH ～52 ％RH 气压：86 kPa～106 kPa 国家半导体器件质量监督检验中心 五．测试条件 3.环境条件 a ）测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁 和光照等干扰； b）除非另有规定，器件全部光电参数均应在热平衡 下进行(要有足够测试预热时间)； c ）测量系统应接地良好。 4. 测量设备 测量设备的不确定度应符合相关规范的技术要 求并检定合格。在检定周期内，按有关操作规程 进行测量。