光电子能谱(XPS)课程课件资料课件.pptVIP

15.0 % N i t r o g e n C o m p o s i t i o n 12.5 10.0 7.5 5.0 2.5 ppAAm grafted 0.0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Edge Edge 1mm 5. 平行成像和选区分析（聚四氟乙烯表面污染） 污染表面 C 1s 成像 污染 PTFE 表面的 C 1s 谱图 : 大面积和污染点的谱图比较 C-F 成像（绿）和 C-O 成像（红）叠加 6. 厚膜深度剖析（有损刻蚀） 750 V 氩离子刻蚀多层膜， snapshot 模式采谱 优点：能分析深 层样品信息； 缺点：氩离子刻 蚀容易破坏样品 原始结构，并造 成化学状态的变 化，而且不同材 料的刻蚀速率不 同，很难确定样 品的刻蚀深度。 目前所内仪器的 刻蚀枪不适用于 有机物的刻蚀， 现在已有团簇离 子枪具有对样品 损伤小的优势。 第一层 Al fwhm 58nm 最后一层 Al fwhm 63nm 7. 超薄膜深度剖析（无损） ? 衰减长度 λ ? 每个数据点代表一个不同 ? 不同深度的强度 ? 65% of the signal from l ? 85% from 2 l ? 95% from 3 l . 的元素或跃迁状态 l ? ~ E 0 . 5 M. P . Seah and W .A. Dench, Surface an