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* 几十到几千欧姆;几兆欧姆以上。 BJT主要用在模拟电路和中、小规模数字集成电路中; 而JFET在集成电路中用得较少,主要用作恒流源偏置和差动输入级的放大管。 * MOSFET电路的静态分析方法 * 一、FET原理及特性曲线 教学基本要求 二、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置) 以N沟道增强型MOSFET为重点,理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。 了解FET的分类、电路符号;了解N-EMOSFET的工作原理及N沟道JFET;放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。 掌握工作点的估算方法; 了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。
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