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高性能开关电流双线性积分器的设计 高性能开关电流双线性积分器的设计 高性能开关电流双线性积分器的设计 （桂林电子科技大学，广西 桂林 541004） 【摘 要】对开关电流(SI)电路中的时钟馈通误差进行了详细的理论分析，设计了一种低电压下工作的共源共栅甲乙类（classAB）开关电流存储单元。该电路采用上下两个开关同时采样，使得钟馈误差相互抵消，误差降为原来的5%，采样频率高 μm 工艺进行HSPICE 仿真，仿真结果表明所设计的积分器性能良好， 达5MHz。并用此单元构造了双线性积分器。采用0.18接近理想结果。 【关键词】SI 存储单元；时钟馈通误差；Hspice；双线性积分器 【中图分类号】TN432 【文献标识码】A 【文章编号】1008-1151(2021)04-0117-02 开关电流技术是近年来提出的一种新型的模拟信号采 样、保持、处理技术。开关电流电路是基于电流模的电路，它用离散时间的取样数据系统处理连续时间的模拟信号，具有高频特性好、适于低压工作、动态范围大等优点。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流电路不需要线性浮值电容和高性能运算放大器，可与标准数字CMOS 工艺完全兼容。但是开关电流电路中存在时钟馈通误差，它直接影响到电路的线性度和精度。 本文详细分析了第一代开关电流存储单元的时钟馈通误差，对其做了改进，设计了一种共源共栅classAB 的存储单元，并利用此存储单元设计出了高性能的双线性积分器，HSPICE 仿真结果表明该电路性能良好，接近理想效果。 Q L =C 1(V L ?V gs 2) ； 时钟高低电平跳变时，C 1的电荷变化为：Q 1=Q H ?Q L =C 1(V H ?V L ) 。 Q 1将注入到存储管M 2的栅极，引起M 2管栅压的变化。同 时，开关管M s 关断时的沟道电荷Q s 也将注入到M 2的栅极。 Q s =C ox A s (V H ?V T ) （1） 式中V T 表示M s 的阈值电压，A s 表示M s 的面积。当时钟信号跳变较快时，Ms 关断，导电沟道瞬间消失，可近似认为Q S 分成相等的两部分分别注入到M 1、M2的栅电容上。所以注入到M 2栅极的总电荷Q 为： Q =Q 1+Q S （2） （二）第一代SI 存储单元的时钟馈通误差分析 开关电流电路是电流模拟信号处理技术，是利用MOS 管在其栅极氧化电容上的电荷维持其漏极电流的能力而进行电流延迟转换。 由于电荷注入引起M 2栅电压的变化为： Q 1+Q s C 1(V H ?V L ) +1C ox A s (V H ?V T ) Q ===C gs 2C gs 2C gs 2 ΔV gs 2 C ox A 1(V H ?V L ) +C ox A s (V H ?V T ) A 1(V H ?V L ) +A s (V H ?V T ) （3） A gs 2C ox A gs 2 其中A 1、A gs 2分别表示交叠电容C 1、C gs 2的面积。 （三）共源共栅classAB 开关电流存储单元的设计 图1 第一代开关电流存储单元 图1即为第一代开关电流存储单元，采用了NMOS 管Ms 作为开关管。其中C 1、C gs 1、C gs 2表示MOS 管的寄生电容，V ?为时钟信号。 V ?=V H ，C 1上的电荷为：时钟高电平期间， 图2即为共源共栅classAB 开关电流存储单元，其中，Ms1为NMOS 开关，Ms2为PMOS 开关，S1、S2表示互补时钟控制信号，采样频率5MHZ，i i 表示输入信号，i o 表示输出信号。电源电压1.8v，偏置电压Vp 为0.5v,Vn 为1.1v。 在采样相位期间，Ms1和Ms2同时导通， V gs 1=V gs 2, V gs 7=V gs 8, V gs 1、V gs 2、V gs 7和V gs 8分别表示晶体管M 1、M 2、 Q H =C 1(V H ?V gs 2) 时钟低电平期间，V ?=V L ，C 1上的电荷为： M 7和M 8的栅源电压。电路构成共源共栅classAB 电流镜，输 【收稿日期】2021-01-03 【基金项目】广西科学研究与技术开发计划项目（0731021） 【作者简介】谈作伟（1982－），男，河南信阳人，桂林电子科技大学信息与通信学院硕士研究生，研究方向为模拟集成电路设计。 - 117 - 出电流为i o (n ) =?i i