电工学2每章检测题习题解析.docxVIP

第 6 章 检测题 （共 100 分， 120 分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的 多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。 P 型 半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子 为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 基 区、 发射 区、 集电 区及 发射 结和 集电 结组成 的。三极管对外引出电极分别是 基 极、 发射 极和 集电 极。 3、PN 结正向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少子 的 漂移 ； PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方 向 相同 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称 为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中， P 型半导体中的多数载流子 空穴 向 N 区进行扩散， N 型 半导体中的多数载流子 自由电子 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立 起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子 的 扩散运