电力电子技术试题20套及答案.pdf

考试试卷 ( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括 和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 状态。当器件的工作频率较高时， 损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 ，当它为常数时的调制方式称为 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比 为桓定的调制方式称为 分段同步 调制。 4、面积等效原理指的是， 冲量 相等而 形状 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET 中，开关速度最快的是 MOSFET ，单管输出功率最大 的是 GTO ，应用最为广泛的是 IGBT 。 6、设三相电源的相电压为U ，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大2 反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为 VD1 ；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为 V1 ； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为 VD2 ；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为 V2 ；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为 VD1 ； . 二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分） 1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ） A、V1与V4导通，V2与V3关断 B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断 C、V1与V4关断，V2与V3导通 D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常 工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180 度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（ ）晶 闸管导通。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装 置的工作状态是（ ） A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断，N组逆变 C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变 . 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D ） A、30°～150 B、0°～120° C、15°～125° D、0°～150° 6、桓流驱动电路中加速电容C 的作用是（ A ） A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度