模拟电子技术第一章.pptxVIP

;一、半导体及其导电特性; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。;; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 ;导电机制： 在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电。;（二） 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;二、 PN 结; PN 结的形成动画演示;（二） PN 结的单向导电性;1. 加正向电压（正偏）—电源正极接P区，负极接N区 ; 2.加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;（三） PN结的伏安特性曲线及表达式; 根据理论分析：;（四） PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;1.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管图片;半导体二极管的型号; 二、 半导体二极管的V—A特性曲线;三、 二极管的主要参数;（4） 反向工作峰值电压URWM;;? t ;? t ;四. 二极管的模型;二极管的模型;二极管的模型; 由伏安特性折线化得到的等效电路;二极管的微变等效电路图;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;1.3 半导体三极管;一、BJT的结构;;;集电区; UCE; 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。;BJT内部的载流子传输过程;电流分配关系;(2)IC与I B之间的关系：;IB;（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。;（3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 ;;现以iB=60uA一条加以说明。 ;;饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。;四、 BJT的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; （3）反向击穿电压;; 半导体三极管的型号;五、光电三极管;光电三极管的输出特性曲线; 1.4 场效应管;一. 结型场效应管; 2. 结型场效应管的工作原理;（2）漏源电压对沟道的控制作用;结型场效应管工作原理动画演示;（1）输出特性??线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数;四个区：;（2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数; P沟道结型场效应管的工作原理与N沟道结型场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。（请大家自学） ;二. 绝缘栅场效应三极管; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS,也记为UGS(th)。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道MOSFET;4. MOS管的主要参数;三 .场效应管的主要参数;四.双极型和场效应型三极管的比较;9、要学生做的事，教职员躬亲共做；要学生学的知识，教职员躬亲共学；要学生守的规则，教职员躬亲共守。7月-217月-21Wednesday, July 21, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。17:00:2917:00:2917:007/21/2021 5:00:29 PM 11、一个好的教师，是一个懂得心理学和教育学的人。7月-2117:00:2917:00Jul-2121-Jul-21 12、要记住，你不仅是教课的教师，也是学生的教育者，生活的导师和道德的引路人。17:00:2917:00:2917:00Wednesday, July 21, 2021 13、He who seize the right moment, is the right man.谁把握机遇，谁就心想事成。7月-217月-2117:00:2917:00:29July 21, 2021 14、谁要是自己还没有发展培养和教育好，他就不能发展培养和教育别人。21 七月 20215:00:29 下午17:00