模电模拟电路基础201013复习.pptxVIP

第一章 常用半导体器件;模拟电子技术基础 主讲：光电信息学院 钟 建 ;半导体特性;本征半导体;本征半导体;杂质半导体;N（ Negative 负）型半导体（电子型半导体）;P（ Positive 正）型半导体（空穴型半导体）; PN结原理;?;由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;PN结的实质;式中 Is ? 反向饱和电流; UT = kT/q ?温度电压当量。 k ? 波尔兹曼常数（1.38×10-23J/K)； T=300k（室温）时 UT= 26mv（很重要）;二极管的结构与伏安特性：;器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。 一、二极管的伏安特性的分段线性近似模型 ⑴ 理想开关模型 (用于UON外加电压） 二极管 → 理想开关（如下图） 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0;;;;正向电压时： (1).OQ斜率的倒数是正向电阻R。 (2).R与Q有关，Q不同,R也不同 反向电压时：I很小，R很大。;作Q的切线，则有: rd=?U/?I; 或rd=dU/dI 因为： I=Ise U/ UT; 交流电导： g=dI/dU=I/(UT)