两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法.pdfVIP

第 1期 张聪等 ：两种增强 肖特基二级管芯片稳定性的设计方法 导体器件 2．1扩散势垒的创新设计 肖特基二极管具有开关特性好 、反向恢复时间 近年来 ．金属硅化物在 肖特基二极管中得到了 短等特点．因而其常作为高频整流二极管、用续流 广泛的应用 ．但是 ．肖特基二极管的上层电极与硅 二极管或阴尼二极管而被用于开关电源、PWM脉 化物层 的兼容问题仍是一个值得注意 的重要问题 。 宽调制器和变频器等电路 中。此外 ，由它制作 的电 硅化物不仅能够提供一个合适 的肖特基势垒 ．而且 路还可广泛地应用在计算机 、雷达、通讯发射机和 还能防止电极金属和硅之间发生反应 。但是 ，事实 航天飞行器 ，以及仪器仪表等系统中 上电极金属也和硅化物发生反应 ．因而电极金属与 金属与半导体接触时．由于金属和半导体的功 函数 的不 同．金属与半导体两端的电荷会相互转 硅化物 的接触在一定的温度下是不稳定的，它们容 移 ．当两端的费米能级一样时．便会在半导体表面 易形成金属化合物 ．在器件的电学特性上表现为肖 形成 肖特基垫垒 fl_ 特基势垒高度 值及理想 因子 n值发生变化 。为 肖特基二极管的正 向特性如式 (1)所示 ，反 了防止以上情况的发生．通常可以在电极金属和硅 向特性如式 (2)所示，△ 是 由于电场效应和镜 化物层之间形成一层扩散势垒 像力的作用而引起的势垒高度的降低 选择扩散势垒材料的最重要的参数为材料的再 ，s{exp [q (广 )／nkT]一1} (1) 结晶温度 、电阻率和原子扩散系数 。 目前 ，用 = Isexp (q△q)JkT) (2) 作扩散势垒的材料有 ：Ta、W、Ti、Mo、Cr和 V SAT2exp (一qqgdkT) (3) 等难熔金属 。另外 。还有非晶金属合金，例如 ： A B= (qE／4,rr~s)1／2+aE (4) Nb—Ni、Mo—Ni、Si—W、Mo—Si、Ir—Ta、Ni—W 和 = [29No(R+D) s] (5) TiN等 硅化物也可用作扩散势垒 。从原子扩散系 式 (1)一 (5)中：，厂 正 向电流 ； 数来看 ，单晶层是最有效的扩散势垒 。但是 目前还 厂 正向压降； 未能制备出来 非晶金属合金是较好的扩散势垒材 ，广 反向电流 ； 料 (Tc可以超过 700oC)，与多晶金属合金相 比， J广 反 向电压 ； S——二极管的面积 ： 非晶金属合金的扩散系数要低一个数量级 ．这是 由 — — 理查逊常数 ： 于多晶金属合金中有一个沿晶粒边界扩散的问题 q—— 电子电荷 ； 非 晶金属合金 的缺点是 电阻率较大 (典型值为 — — 玻尔兹曼常数 ： 100 Q．cm)，而难熔金属作为扩散势垒时其 电阻 卜 绝对温度 ：