地磁场测定实验.pdfVIP

地磁场测定实验 地磁场的数值比较小，约 10 5 T 量级，但在直流磁场测量，特别是弱磁场测量中，往往需要知道 其数值，并设法消除其影响，地磁场作为一种天然磁源，在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着 重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平分 量和垂直分量；测量地磁场的磁倾角，从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。由 于磁阻传感器体积小，灵敏度高、易安装，因而在弱磁场测量方面有广泛应用前景。 一、实验目的 （1）了解磁阻传感器的各向异性磁阻效应 （2 ）掌握测量地磁场的定标及测量原理和方法 （3）熟练使用最小二乘法拟合 二、实验原理 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属，当 外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化 方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。 HMC1021Z 型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金 ( 铁镍合金 ) 制成一维磁阻微电路集成芯片 ( 二维和 三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场 ) 。它利用通常的半导体工艺， 将铁镍合金薄膜附着在硅片上， 如图 1 所示。薄膜的电阻率 ( ) 依赖于磁化强度 M 和电流 I 方向间的夹角 ，具有以下关系式 ( ) ( ∥ ) cos 2 （1） 其中 ∥ 、 分别是电流 I 平行于 M 和垂直于 M 时的电阻率。当沿着铁镍合金带的长度方向 通以一定的直流电流，而垂直于电流方向施加一个外界磁场时，合金带自身的阻值会生较大的变化， 利用合金带阻值这一变化， 可以测量磁场大小和方向。 同时制作时还在硅片上设计了两条铝制电流带， 一条是置位与复位带，该传感器遇到强磁场感应时，将产生磁畴饱和现象，也可以用来置位或复位极 性；另一条是偏置磁场带， 用于产生一个偏置磁场， 补偿环境磁场中的弱磁场部分 ( 当外加磁场较弱时， 磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关系 ) ，使磁阻传感器输出显示线性关系。 HMC1021Z 磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器，它能测量与管脚平行方向的磁场。传感器 由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥，非平衡电桥输出部分接集成运算放大器，将信号放大输 出。传感器内部结构如图 2 所示。图 2 中由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同，当存在外界磁 场时，引起电阻值变化有增有减。因而输出电压 U out 可以用下式表示为 R U out U b (2) R 偏置磁场 Vb 电 流 R R+ -△ △ Ｍ 铝合金带 外加磁场 R R θ Ｉ – Vout R+ R