项目一、3模块三晶体管电路的应用.pptx

模块三 晶体管电路的应用 任务一 认识晶体管及特性单元目标：熟悉晶体管的结构和符号表达；掌握晶体管的输入输出特性；掌握汽车晶体管的型号命名；熟练掌握晶体管的简易测试方法 ;活动一 认识晶体管的结构和符号 晶体管类似于两个背靠背连接的二极管，通过图1-21的实物形状请你想一想怎样把两个PN结画在一起。 ;［知识链接］晶体管也称为晶体三极管，是电子电路中最重要的器件。它最王要的功能是电流放大和开关作用，配合其他元件还可以构成振荡器等。  三极管由两个PN结构成，具有3个电极。共用的一个电极为三极管的基极(用字母b表示)，其他的两个电极为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管， 一种是PNP型的三极管。三极管的符号中有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向就是电流的方向，如图1-22所示。 三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。例如，按工作频率分有低频、中频、高频、超高频；按功率分有小功率、中功率、大功率等；按材料分有硅管、锗管；接工艺分有平面型、台金型等；按封装分有塑料封装、金属封装等；按载流子数目分有双极型、单极型等。 ;活动二 认识晶体管的特性和基本工作原理 ; 晶体管和二极管工作时一样，是由N型材料提供自由电子、P型材料提供空穴从而来传导电流。基极控制决定了晶体管的通断，如图1-23所示，控制电流类似于水龙头工作方式控制主要电路。在基极上施加合适的电压和正确的极性时才能传导电流。三极管的基极和发射极之间有一个小电流流通时，主要的电路电流将穿过晶体管的另外两个部分：发射极e和集电极c，将三极管接通，使得一个较大的电流可以从集电极流向发射极。如果基极电流被断开，那么从集电极到发射极的电流也将被断开。控制基极的电流称为控制电流，控制电流须高于一定值才能断开或者接通晶体管。控制电压又叫门电压，对锗二极管必高于0．3 V，硅二极管必须高于0．6 V。 晶体管这时的作用就象开关一样，因此称之为晶体管的开关作用。 ;晶体管以微小电流流过基极，控制较大电流导通发射极和集电极，好像把电流放大的作用，我们称之为晶体管的放大作用。大多数的晶体管都具有放大功能，例如，在一个PNP晶体管里，如果基极电压高于发射极电压(大概O．6 v或者更多)，电流将从集电极流向发射极。然而，随着基极电流的增加，从集电极到发射极的电流也会相应增加直到达到一个饱和点。基极到发射极的电流和集电极到发射极电流之间的比率称为晶体管增益，用希腊字母β来表示， 增益(β)= ICE／IBEICE——集电极到发射极电流 IBE ——基极到发射极电流。 若基极到发射极电流是49μA，集电极到发射极电流是7.4mA，那么晶体管增益是β= 0.0074/0.000049=151,即流经晶体管集电极和发射极的电流是流经晶体管基极电流的100～200倍。 ;［知识链接］晶体管的特性曲线 ;晶体管的特性曲线是描绘晶体管各电极电压和电流之间关系的曲线，是晶体管内部性能的外部表现。典型晶体管的特性曲线如图1-24所示。 (1)输入特性曲线输入特性曲线是指集一射极间的电压为常UCE数时，输入回路中基极电流如与加在基一射极间的电压UBE之间的关系曲线，如图1-24 (a)所示，其特点如下：当UCE=0时，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，iB与UBE之比也是非线性关系。 当UBE=1V时，曲线右移。可见，UBE对iB有一定的影响。当UCE1V时，其曲线与UCE=1 V时的曲线很接近，因此一般用UCE=1 V时的输入特性曲线代替UCEl V时的特性曲线。晶体管的输入特性曲线与二极管伏安特性曲线一样，也有导通电压(硅管约0.5 V，锗管约0.2 V)，只有UBE大于导通电压时晶体管中才会出现iB。当硅管的UBE接近0．7 V， 锗管的UBE接近0.3 V时，电压稍有增高，电流就会增大很多。为避免UBE过大导致iB剧增而损坏管子,所以常在输入回路中串接限流电阻。;(2)输出特性曲线 输出特性曲线是指基极电流如为常数时，输出电路中集电极电流iC与集-射极间电压UCE之间的关系曲线，如图1-24 (b)所示。输出特性曲线是一组曲线簇，晶体管有三个不同的工作区。 1)截止区 iB=O曲线以下的区域(阴影部分)称为截止区。该区域的主要特点是：iB=0、iC=iCEO(穿透电流)，UCE =UCC (RC上无压降)，相当于集-射极间断开。实验证明：当晶体管的发射结反偏或零偏时,管子就截止，即处于截止状态。 2)饱和区 曲线左侧的阴影部分，即iC近于直线上升