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igbt 主要材料及参数介绍
IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的 CPU ，作
为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新
能源装备等领域应用极广。
如下图所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为
源区，附于其上的电极称为源极（即发射极 E ）。N 基极称为漏区。器件的控
制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极 G ）。沟道在紧靠栅区边界形
成。在 C、 E 两极之间的 P 型区（包括 P+和 P- 区）（沟道在该区域形成），称
为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区
（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成
PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降
低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极 C ）。
IGBT 结构图
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