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N沟道MOS管的结构及工作原理 N沟道金属-氧化物-半导体场效应管（MOS管）的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达 106〜109V，但在要求输入电阻 更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是 PN结的反 偏电阻，在高温条件下工作时， PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明 显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET 的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2 ）绝缘介质，使栅极处于绝缘 状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W它的 另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。 MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型 两种，二者的区别是增强型 MOST在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间 没有导电沟道存在，即使加上电压 vDS（在一定的数值范围内），也没有 漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOST在vGS=0时，漏-源极间就有导 电沟道存在。 一、N沟道增强型场效应管结构 0 截止区 卩凶 a） N沟道增强型MOST结构示意图 id (b) N沟道增强型MOS管代表符号 (c) P 沟道增强型MOS管代 表符号 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个 高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。 然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅 (Si02)绝缘层，在漏-源极 间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g另外在衬底上也引出一个 电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOSt。显然它的栅极与其它电 极间是绝缘的。图1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表 符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOST的 箭头方向与上述相反，如图1(c)所示。 二、N沟道增强型场效应管工作原理 1. vGS对iD及沟道的控制作用 MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连 接好)。从图1(a)可以看出，增强型 MOSI的漏极d和源极s之间有两 个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时，即使加上漏-源电压vDS而 且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有 导电沟道，所以这时漏极电流iD - 0。 若在栅-源极间加上正向电压，即vGS 0则栅极和衬底之间的SiO2 绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场 ，这个 电场能排斥空穴而吸引电子 ，因而使栅极附近的 P 型衬底中的空穴被排 斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的 电子(少子)被吸引到衬底表面。当 vGS数值较小，吸引电子的能力不 强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图 1(b)所示。vGS增加时， 吸引到P衬底表面层的电子就增多，当 vGS达到某一数值时，这些电子 在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通， 在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与 P衬底相反，故又称为 反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强， 吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们 把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用 VT表示。 由上述分析可知，N沟道增强型MOSI在vGSVT时，不能形成导 电沟道，管子处于截止状态。只有当 vGS VT时，才有沟道形成，此时 在漏-源极间加上正向电压vDS才有漏极电流产生。而且vGS增大时， 沟道变厚，沟道电阻减小，iD增大。这种必须在vGSVT时才能形成导 电沟道的MOSI称为增强型MOSt。 2. vDS对iD的影响二氧化硅 d 諾直层 p ［衬底引鏡 (a) NO p 』巳衬底弓函 (b) 图1 N型(感生)洶道 P b迅遠増犬 / 耗尽层 JD暗于馆和 」衬底引线 衬底引线 (a) ⑹ I 图2 如图2(a)所示，当vGSVT且为一确定值时，漏-源电压vDS对导电 沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。漏极电流iD沿沟道产生的 电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等 ，靠近源极一端的电压最 大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其值为 vGD=vGS - vDS,因 而这里沟道最薄。但当vDS较小(vDS随着vDS的增大，靠近漏极的沟 道越来越薄，当 vDS增加到使vGD二vGS-vDS二V或vDS二vGS-VT时，沟 道在漏极一端出现预夹断，如图 2(b)所示。再继续增大vDS，夹断点将 向源极方向移动，如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在 夹断区，故iD几乎不随vDS增大而增加，管子进入饱和区，iD几乎仅 由vGS决定。 三、特性曲线、电流方程及参数 1特性曲线和电流方程 （吕） N沟道