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氮化镓半导体材料发展现状 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称 为第三代半导体材料， 它具有宽的带隙， 优异的物理性能和化学性能， 在光电子 领域具有广泛的应用前景和研究价值。 用 GaN 基高效率蓝绿光 LED 制作的超大屏全色显示， 可用于室内室外各 种场合的动态信息显示。作为新型高效节能固体光源，高效率白光 LED 使用寿 命超过 10 万小时，可比白炽灯节电 5~10 倍，达到节约资源、减少环境污染的 双重目的。 GaN 基 LED 的成功，引发了光电行业中的革命，发出蓝光和紫外线 的氮化镓激光器也被用于高密度的 DVD 内，大大促进了音乐、图片和电影存储 技术的发展。利用 GaN 材料，还可以制备紫外光探测器，它在火焰传感、臭氧 检测、激光探测器等方面具有广泛应用。 在电子器件方面，利用 GaN 材料，可以制备高频、大功率电子器件，有 望在航空航天、 高温辐射环境、 雷达与通信等方面发挥重要作用。 例如在航空航 天领域，高性能的军事飞行装备需要能够在高温下工作的传感器、 电子控制系统 以及功率电子器件等， 以提高飞行的可靠性， GaN 基电子器件将起着重要作用。 此外由于它在高温工作时无需制冷器而大大简化电子系统，减轻了飞行重量。 本报告针对氮化镓材料相关专利进行检索和分析， 并结合有关报道分析技 术发展现状， 通过对氮化镓领域的专利分析揭示该领域当前的专利活动特点， 为 科技决策和课题研究提供支持。检索数据来源于美国汤森路透科技公司的 Derwent Innovation Index 数据库，利用关键词设计检索策略，共计检出相关 资料 专利 23234 项，数据检索日期为 2015 年 6 月 30 日。所采用的主要分析工具为 TDA （Thomson Data Analyzer ）、TI（Thomson Innovation ）和 Innography 。 氮化镓专利数量趋势分析 氮化镓专利申请已有 50 多年历史，最早是 1963 年由美国柯达公司申请 的。遗憾的是，由于受到没有合适的单晶衬底材料、位错密度较大、 n 型本底浓 度太高和无法实现 p 型掺杂等问题的困扰，氮化镓曾被认为是一种没有希望的 材料，因而发展十分缓慢。 直到 1989 年，松下电器公司东京研究所的赤崎勇和弟子天野浩在全球首 次实现了蓝光 LED ；1993 年，日本日亚化学工业公司（ Nichia ）的中村修二克 服了两个重大材料制备工艺难题：高质量 GaN 薄膜的生长和 GaN 空穴导电的 调控，独立研发出了大量生产 GaN 晶体的技术，并成功制成了高亮度蓝色 LED。 资料 因此， 20 世纪 90 年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善， GaN 基器件的发展十分迅速，专利数量快速增长，进入发展的黄金时期。 2006 年-2009 年，氮化镓专利数量的增长较为缓慢，甚至出现专利量减 少的情况（ 2009 年），但 2010 年开始，专利数量又急剧增加，这种变化可能 显示在该时间曾经出现了一个技术上的突破或者关键进展。由此来看， GaN 材 料在未来几年内可能又会形成一次研究热潮。 美国和日本在 GaN 的研究上起步