《集成电子技术基础教程》（第2版）课件 2篇_5章1.pptVIP

第五章 放大电路的频率响应与稳定性分析 ; 在放大电路中，耦合电容，晶体管的结电容，还会有电感等电抗元件。当输入不同频率的信号时，放大器的输出将不完全一样。;一、通频带和频率失真;低频段; 在实际应用中，放大器的输入信号不是单一频率的信号，而是包含有多种频率成分，可以表示为：;为了实现高保真的放大，必须做到;二、一阶RC电路的频响特性分析;写成幅模型式:;;;一阶RC高通滤波电路;写成幅模型式:;;2.5.2 半导体三极管的高频小信号模型 ;发射结正偏，结电容由扩散电容决定(约几十至一百皮法左右)；集电结反偏，结电容由势垒电容决定(几个皮法)。;混合π模型;略rb’c和rce下的混合π模型 ;简化的混合π模型;其中;二、场效应管的高频小信号模型;2.5.3 放大电路的频率特性分析;晶体管用简化高频小信号模型代入后画出共射放大电路全频段等效电路如图; 耦合电容C容量大 容抗很小，在中频段时当短路处理；Ci 容量小容抗很大，中频段时交流开路处理。;中频段电压放大倍数; 源电压增益与以前所求的低频（音频范围）电压增益是一致的。说明以前讨论的是指中频范围。;信号频率降低，C容抗增大不能忽略； 频率降低Ci容抗更大，交流开路。;低频段电压放大倍数;;设; 频率升高C容抗更小，可完全当作短路； 频率升高Ci 容抗减少，已不能忽略。;高频段电压放大倍数;所以，高频段的源电压增益为：;设; 所以，有共射放大电路在高频段的源电压增益复数表达式如下：;共射放大电路全频段的电压放大倍数表达式：;在高频段，因 f f L，;在低频段，因 f f H，;二、频率响应的Bode图表示;波特图表示的优点：;;相频表达式;对数幅频特性可取以下三点来画出：;画幅频特性过程如图所示：;其相频特性如下：;最大误差在f＝fL处(误差3dB)。;;对数幅频特性表达式：;最大误差在f＝fH处(误差3dB)。;【例2.5.1】;解：;上限频率;频带宽度; 多级放大电路由单级放大器组成，而每级又有一个上限截止（转折）频率fH和一个下限截止（转折）频率fL，所以多级放大器的频响总表达式为:; 低频转折频率和高频转折频率的个数由放大电路中的电容个数所决定???其数值则与电容所在回路的时间常数相关。;如用两级频率特性相同的共射放大器组成多级时，;;二、集成运放的频率特性;【例2.5.2】;解：波特图;上限频率为： fH??105 Hz;; (4) 当频率从10Hz变化到100MHz时，绘制输出阻抗的幅频特性。 ;;解：;;(2)电压增益的幅频特性和相频特性;下限频率fL为744Hz，上限频率fH为10MHz；中频段的电压放大倍数为，即dB。;(3) 输入阻抗的幅频特性;(4);中频段时输出电阻为22Ω。;(5); 为什么耦合电容C1、C2等常取十几或几十微法，而旁路电容Ce则取上百微法？;Pspice仿真软件下载：; 习 题;;开环幅频特性表达式; 从频率特性曲线可知，在通频带以内，即 其附加相移还是小于45o ,所以引入的还是负反馈。 ; 这说明，放大器在通频带以内是负反馈，但是在通频;由增益函数 可知,;（相位平衡条件）;反馈回来的信号又经放大和反馈，如此不断的循环，电路会有一定的输出。实际上，起振刚开始时环路增益 ， ;;① 从相位条件看幅度;②从幅度条件看相位;;① 增益裕度Gm;② 相位裕度; 放大器的幅度裕度和相位裕度总称放大器的稳定裕度。;【例2.5.4 】某负反馈放大电路中，其开环幅频和相频特性曲线如图所示。设反馈网络由纯电阻构成，试分析为防止产生自激振荡 必须小于多少? ;【解】;这可在 的幅频特性图中作出高度为 的一条水平线，称为反馈线。它与幅频特性曲线 ;再根据该交点所对应的附加相移; 在图中作出了三条反馈线，; 在反馈系数为F2时，交点为N，有45o的相位裕度；; 这说明，在一定的开环增益下，反馈越深，越容易自激。说明负反馈对性能改善和稳定性应合理考虑。;三、消除自激振荡的方法;; 在未接补偿电容C前，其上限频率为：;现以三级开环幅频特性为例，补偿前的频率特性复数表达式为：;补偿后?p被?p’代替，;补偿前; 电容补偿的优缺点：;2.阻容滞后补偿法（RC滞后补偿）; 它同样可以与电容补偿一样写出补偿前后的频率特性表达式，然后画出补偿前后的Bode Map，求出补偿后的上限频率和通带宽度。这种补偿同样使通带变窄，但比单纯用电容补偿时的通带要宽一些。所以，普遍采用。;几种密勒效应补偿电路;;2008年12月8日