模拟电子总复习.pptVIP

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  • 2021-08-13 发布于广东
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模拟电子总复习; 第一章程半导体器件基础 1.本章主要内容和教学要求见课本P33-P34的本章小结.要熟悉一些基本的概念、名词和术语,例如:P型半导体、N型半导体、PN结、偏置(偏置就是加电压,正向偏置就是加正向电压)、晶体管的输入特性曲线和输出特性曲线、场效应管的跨导、夹断电压等。 ; 解释名词术语或回答问题 1.要使三极管起正常放大作用,其发射结必须加 偏置,集电结必须加 偏置。(a.正向,b.反向) 型半导体中多数载流子是 ,P型半导体中多数载流子是 。(a.电子,b.空穴) 3.放大电路高频时放大倍数下降,主要是因为 的影响:低频时放大倍数下降,主要是因为 的影响。(a.耦合电容和旁路电容,b.晶体管的极间电容和分布电容,c. 晶体管的非线性)。 4.共模抑制比KCMR是 (a.差模输入信号与共模输入信号之比,b. 差模放大倍数与共模放大倍数之比,c.交流放大倍数与直流放大倍数之比。) 5.差动放大电路是为了 (a.稳定放大倍数,b.提高输入电阻,c.克服温漂,

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