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摘 要
绝缘体上硅（SOI）作为集成电路制造的一种新型材料，拥有较低的寄生电容、较弱的短沟效应、高速和低功耗的优势，在高温高频大功率方面有非常广阔的应用前景，在空间及军事电子领域也已取得一定的进展。本文对SOI的失效机理及其对应的可靠性筛选技术展开讨论。
首先对可靠性筛选技术进行概述并阐述了可靠性筛选试验的重要性，介绍了可靠性筛选的特点，并对不同的筛选方法进行了比较。本文针对SOI电路的可靠性筛选技术主要介绍老炼和环境应力试验、高温贮存试验及辐照试验。在对SOI电路可靠性筛选的分析过程中，发现其在工作时存在一些失效现象，严重地影响了电路的工作性能。
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