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- 2021-08-19 发布于天津
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单相桥式逆变电路的设计
本次基于MOSFE的单相桥式无源逆变电路的课程设计, 主要涉及IGBT的工
作原理、全桥的工作特性和无源逆变的性能。 本次所设计的单相全桥逆变电路采
用IGBT作为开关器件,将直流电压 Ud逆变为波形电压,并将它加到纯电阻负 载两端。
首先分析了单项桥式逆变电路的设计要求。确定了单项桥式逆变电路的总体 方案,对主电路、保护电路、驱动电路等单元电路进行了设计和参数的计算,其 中保护电路有过电压、过电流、电压上升率、电流上升率等,选择和校验了 IGBT、 SG3525等元器件,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS绝缘栅型场效应管)组成 的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFE的高输入阻抗和GTR勺 低导通压降两方面的优点。最后利用MATLA仿真软件建立了 SIMULINK仿真模型, 并进行了波形仿真,仿真的结果证明了完成设计任务要求, 满足设计的技术参数
要求。
关键词:单相;逆变;设计
Firstly, the desig n requireme nts of the sin gle bridge in verter circuit are an alyzed. To determ ine the overall scheme of sin gle bridge inv erter circuit, of the mai n circuit,
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