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实验四 MOS结构C-V特性测量及BT实验 一. 实验目的与意义 对MOS结构测量其高频电压-电容（C-V）曲线，以及利用正、负偏压温度处理方法（简称BT试验）进行Si/SiO2界面研究，可以获得MOS结构的多个参数：二氧化硅层的厚度，衬底硅掺杂类型、浓度，以及二氧化硅层中可动电荷与固定电荷密度。 通过实验全过程的操作及数据处理，使学生加深对所学“固态电子论”中半导体表面理论的理解，特别是硅-二氧化硅系统性质的理解。掌握用C-V方法测量MOS结构样品的多个参数。 二. 实验原理 MOS结构如图1a所示，它类似于金属和介质形成的平板电容器。但是由于半导体中的电荷密度比金属中的小得多，所以充电电荷在半导体表面形成的空间电荷区有一定的厚度（在微米量级），而不象金属那样，只集中在一薄层（约0.1nm）内。半导体表面空间电荷区的厚度随外加偏压VG而改变，所以MOS电容C是微分电容。 (a) 结构示意图 (b) 等效电路 (c) p-SiMOS理想C-V曲线 图4-1 MOS结构及其C-V特性 （4-1） 式中： QG是金属电极上的电荷面密度；A是电极面积。 理想情形可假设MOS结构满足下列条件：① 金属-半导体间的功函数差为零；② SiO2层中没有电荷；③ SiO2与半导体界面处不存在界面态。偏压VG一部分降在SiO2上，记为Vo；一部分降在半导体表面空间电荷区，记为Vs，即： (4-2) Vs又称为表面势。考虑到半导体空间电荷区电荷和金属电极上的电荷数量相等、符号相反，有: (4-3) 式中：Qs为半导体表面空间电荷区电荷面密度。 将（4-2）、（4-3）代入（4-1）式，有： （4-4） 式（4-4）表明MOS电容是C0和Cs串联而成，其等效电路为图4-1 的b所示。其中Co是以SiO2为介质的氧化层电容，它的数值不随VG 改变，Cs是半导体表面空间电荷区电容，其数值随VG改变。因此，有： （4-5） （4-6） 式中: ε0=8.86*10-12 F/m、εr0= 3.9*10-12 F/m分别为真空介电常数和二氧化硅相对介电常数。 由式（4-6）看，Cs的大小主要由空间电荷区单位面积电量Qs随表面势Vs的变化而定。 P型硅的理想MOS结构高频C-V特性曲线如图1 的c所示，V轴表示外加偏压，C轴是电容值。最大电容CmaxCo，最小电容Cmin和最大电容Cmax之间有如下关系： (4-7) 式中：N为Si衬底参杂浓度；εrs=11.7*10-12 F/m，为半导体的相对介电常数；KT（室温）=0.0259eV； q=1.6*10-19 C，为电子荷电；ni=1.45*1010/cm3，为Si本征载流子浓度。 当Vs=0时，半导体表面能带平直，称为平带。平带时，对应的偏压称为平带电压，记为VFB。显然，对于理想MOS结构，VFB=0。此时，对应的电容称为平带电容，记为CFB。对于给定的MOS结构，归一化平带电容有如下关系： （4-8） 考虑实际的MOS结构，由于SiO2中总是存在电荷（通常都为正电荷），且金属-半导体接触的功函数并不相等，两者功函数差记为Vms。因此，VFB也不为零。若不考虑界面态，有下式： C （4-9） C C CFB V VFB3 VFB VFB2 3 1 2 0 3 1 2 0 图4-2 铝栅P-Si MOS结构C-V特性 对于铝栅p-Si MOS结构，Vms大于零，Q0也大于0（正电荷），所以VFB﹤0。如图4-2所示，曲线1是在常温下测量的，曲线0为理想MOS结构曲线。利用正、负偏压温度处理方法（简称BT处理），可将氧化层中可动电荷和固定电荷区分开。-BT处理是给样品加一定的负偏压（即VG﹤0），同时将样品加热到一定温度，由于可动电荷（主要为钠离子）在高温下有较大的迁移率，在负偏压下将向Al/SiO2界面运动；然后，保持偏压不变，将样品自然冷却到室温；最后，去掉偏压，测C-V特性，得到图2中的曲线2。此时，可动电荷都迁移到Al/ SiO2界面处，对平带电压没有影响，由式（4-9）可得： （4-10） （4-11） 式中：Qf是固定电荷面密度。若Vms已知，则可确定二氧化硅中固定电荷面密度: （4-12） 改变偏压极性，作+BT处理，加热时间和-BT相同。与-BT同样测量C-V特性，将得到图2中的曲线3。由于这时可动电荷基本上都移到Si/SiO2界面附近。所以VFB中包含有固定电荷和可动电荷的