IGBT的结构学习见解.pptVIP

IGBT的开发背景 电动机可变驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极性功率晶体管模块和MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换原件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速的发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极性功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极性功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率MOSFET虽然交换速度够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量等的缺陷。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它是一种既有功率MOSFET的高速切换又有双极性晶体管的高耐压、大电流处理能力的新型元件。 IGBT与MOS的结构对比 IGBT是从MOS的基础发展起来的，两者的结构十分类似，不同之处是IGBT多了一层P+层发射极，从而多了一个大面积的PN结。 IGBT从结构上讲，就是MOS和双极晶体管的组合： IGBT的发展过程 IGBT的主要分类 IGBT可以大致分为PT-IGBT（PunchThrough IGBT）、NPT-IGBT（Non Punch Through IGBT）和FS-IGBT (Field Stop IGBT)；穿通型IGBT和非穿通型IGBT的区别就是有无缓冲区（缓冲区是介于P+发射区和N-漂移区之间的N+层），穿通型IGBT（也称为非对称IGBT）存在缓冲区。 PT-IGBT结构： PT-IGBT是用传统外延法制成的，是P衬底（约500um）外延生长一层N+缓冲层（约10um），再外延生长一层N-（约100um），通过扩散形成P型和N层。 NPT-IGBT结构： NPT-IGBT采用N型Si衬底，N-区的厚度是PT的 1.5~2倍，而集电区厚度是PT的1/60， 因此下降时间短，开关损耗小，同一芯片尺寸 和同一电流额定值的NPT型IGBT(75A/1200V) 的关断损耗为PT型IGBT的60%。与功率 MOSFET相同，NPT结构的IGBT芯片具有 正温度系数，易于并联，有长的N-区，易 于实现高电压，芯片热阻小，P+发射区很 薄，而PT型IGBT的发射区厚度大于300微米。 1200V的NPT型IGBT比PT型IGBT的热阻下 降40%。采用非穿通结构取代穿通结构， 是IGBT大功率化的必由之路。 FS-IGBT: 电场终止技术的核心是在N-耐压层 与P型集电区之间加一个比N-区宽 度小而掺杂浓度更高的N+型缓冲层。 按照泊松方程使电场强度在该层中 迅速减小到零而达到电场终止，同 时提高N-区的电阻率，从而以较薄 的耐压层实现同样的击穿电压。其 主要优点是，耐压层的减薄可使通 态电阻降低和关断损耗减小，后者 是因为通态时存储的载流子总量减少。 其他结构IGBT： 沟槽栅IGBT，该技术是在IGBT 的硅片正面挖许多浅而密的沟槽，把栅氧化层和栅电极做在沟槽侧壁上，因而MOSFET 的沟道就成为沿沟槽侧壁的垂直沟道。 沟槽栅的优点：通态压降减少，与平面栅相比约小30%左右；电流密度大。 沟槽栅的缺点：沟槽工艺复杂；短路能力低；栅电容大，与平面栅相比约大3倍左右。 股票代码：002334 * page IGBT的结构学习 2010.11 股票代码：002334 * page