真空场发射管.pdfVIP

真 空 场 发 射 管 袁美英 李 琼 张 锻 汤世豪 文蕾 一 引 言 甩传统工艺制造的真空管不但体积大，而且电子源必须加热，同对电流密度 也 比较小 (』般为诅 ／cm。)，工作 电压也比较高，这些缺点限制了电子管的应 用 和 发 展。相比之 下，。固态器件由于其滓积，j、，功耗低，便于集成和成本低等侥点而得到了迅速的发展。然而 在固态器件审电子的漂移速度极强值为 5×1 cm／s，而电子在真空中的漂移遂度理 论生可 达 3x10 cm／s(实际应用中为 (6— 9)×10。cm／s)，况且 电予管的抗核 辐 射 转力； 抗温度极限眺受抗静电破环的能力也远远优于晶体管 如何将两者的优点集于 然，邵用微 电子工艺制作微型真空电子管，是近年来许多科技工作者极感兴趣的课题 ：用微电矛工艺制_柞的这种新型微型真空电子管，其集减密度将遗 比现在的晶体管高，它 可在 平方毫米的硅片上制怍上万个这种微型真空管。当这种微型真空管雕门投与阴极 (场 发射体 )之间距离非常小时，电子从阴极输运到门缓的途中，