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MOS 场效应管逆变器自制 这里介绍的逆变器 ( 见图 1) 主要由 MOS场效应管 。该变压器的工作原理及制 作过程： 图 1 工作原理 一、方波的产生 这里采用 CD4069 构成方波信号发生器。 电路中 R1是补偿电阻， 用于改善由 于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容 C1充放电完 成的。其振荡频率为 f=1/2.2RC 。图示电路的最大频率为： fmax=1/ ，最小频率 为 fmin=1/ ，实际值会略有差异。其它多余的发相器，输入端接地避免影响其它 电路。 1 图 2 二、 场效应管驱动电路 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为 0~5V，为充分驱动 电 源开关 电路，这里用 TR1、TR2将振荡信号电压放大至 0~12V。如图 3 所示。 图 3 三、 场效应管电源开关电路 场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下 MOS场效应管的工作原理。 MOS场效应管也被称为 MOS FET，即 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor( 金属氧化物半导体场效应管 ) 的缩写。 它一般有耗尽型和增强型两种。 本文使用的是增强型 MOS场效应管， 其内部结构 见图 4 。它可分为 NPN型和 PNP型。 NPN型通常称为 N沟道型， PNP型通常称 P 沟道型。由图可看出，对于 N沟道型的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上， 同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在 P 型半导体上。我们知道一般三 极管是由输入的电流控制输出的电流。 但对于场效应管， 其输出电流 是由输入的 电压( 或称场电压 ) 控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流， 这使得该器件 有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 2 图 4 为解释 MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含一个 P— N 结的二极管的 工作过程。 如图 5 所示，我们知道在二极管加上正向电压 (P 端接正极， N端接负 极 ) 时，二极管导通，其 PN结有电流通过。这是因在 P 型半导体端为正电压时， N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的 P 型半导体端， 而 P 型半导体 端内的正电子则朝 N 型半导体端运动， 从而形成导通电流。 同理，当二极管加上 反向电压 (P 端接负极， N端接正极时， 这时在 P 型半导体端为负电压， 正电子被 聚集在 P 型半导体端，负电子则聚集在 N 型半导体端，电子不移动，其 PN结没 有电流流过，二极管截止。 图 5 对于场效应管 ( 图 6) ，在栅极没有电压时，有前面的分析可知，在源极与漏 极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态