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第 1-3 章 1 （ ） 1. 离子键结合的比例 =[1-e- xA -xB 2] ×100% xA 、x B 分别为 A 和 B 元素的电负 4 1 （ ） 性值。故 SiC 中离子键结合的比例 =[1-e- 4 1.90-2.55 2] ×100%=10% 1 （ ） 故 GaAs中离子键结合的比例 =[1-e- 4 1.81-2.18 2] ×100%=4% 2. α- Fe是体心立方结构，晶胞原子数为 2，体心立方晶胞中原子距离最近的方 3 4 3 3 向是立方体的对角线，故 3 a=4r r= a； 致密度 K=2 × r /a =0.68 4 3 3. 纯铝晶体为面心立方点阵，每个晶胞有 4 个原子，点阵常数 a 可由原子半径 求得。即 a=2 2 r=2 2 ×0.143=0.405nm ， A ( Al ) 26.97 3 所以密度ρ = r = =2.696g/cm 1 3 1 23 7 3 N a 6.023 10 (0.405 10 ) 0 4 4 4. 面心立方结构的四面体间隙如图（略） ，四面体间隙在体对角线 1/4 处，故 3 2 3 2 3 2 2 A B B B B/ A a≈0.255 a=r +r = a+r r = a 故 r r = a/ 4 4 4 4 4 面心立方结构的八面体间隙如图（略） ，八面体间隙位于棱的中点，故 1 2 2 2 2 2 2 A B B B B/ A a≈0.414 a=r +r = a+r r = a 故 r r = a / 2 4 4